摘要 | 第1-14页 |
ABSTRACT | 第14-18页 |
第一章 绪论 | 第18-42页 |
·引言 | 第18-20页 |
·热电转换原理 | 第20-22页 |
·Seebeck效应 | 第20页 |
·Peltier效应 | 第20-21页 |
·Thomson效应 | 第21-22页 |
·热电材料研究概况 | 第22-32页 |
·块体热电材料 | 第22-30页 |
·声子玻璃-电子晶体(PGEC)热电材料 | 第23-26页 |
·Half-Heusler金属互化物热电材料 | 第26页 |
·β-Zn_4Sb_3热电材料 | 第26页 |
·Zintl相Yb_(14)MnSb_(11)热电材料 | 第26-27页 |
·金属氧化物热电材料 | 第27-28页 |
·硫族化合物热电材料 | 第28-29页 |
·纳米复合多晶热电材料 | 第29-30页 |
·低维热电材料 | 第30-32页 |
·硫族化合物热电薄膜的甩膜共还原方法的提出 | 第32-36页 |
·本文的主要内容与研究意义 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-42页 |
第二章 BI,SB,TE,SE和PB薄膜制备、表征及形成机理探讨 | 第42-64页 |
·引言 | 第42页 |
·实验方法 | 第42-45页 |
·前驱体溶液配制 | 第43-44页 |
·衬底的清洗 | 第44页 |
·甩膜 | 第44页 |
·还原 | 第44-45页 |
·单质Bi薄膜制备研究 | 第45-59页 |
·水热法制备Bi"洋葱球"薄膜 | 第45-56页 |
·实验过程 | 第46-47页 |
·结果与讨论 | 第47-56页 |
·结论 | 第56页 |
·甩膜-还原法制备Bi薄膜 | 第56-59页 |
·Sb、Te、Se和Pb薄膜制备 | 第59-61页 |
·结论 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-64页 |
第三章 BI_2TE_3系热电薄膜材料制备、表征及形成机理探讨 | 第64-92页 |
·引言 | 第64-66页 |
·实验过程 | 第66-67页 |
·结果与分析 | 第67-90页 |
·共还原法制备Bi_2Te_3薄膜的可行性 | 第67-73页 |
·甩膜(还原)次数对Bi_2Te_3薄膜取向和表面形貌的影响 | 第73-75页 |
·不同衬底上沉积Bi_2Te_3薄膜 | 第75-84页 |
·Bi_2Te_3薄膜的微观结构表征及形成机理分析 | 第84-90页 |
·Bi_2Te_3薄膜的TEM和HRTEM表征 | 第88-89页 |
·Bi_2Te_3薄膜的合成机理 | 第89-90页 |
·本章小结 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-92页 |
第四章 SB_2TE_3系热电薄膜材料制备、表征及形成机理探讨 | 第92-105页 |
·引言 | 第92-93页 |
·实验过程 | 第93-94页 |
·结果与分析 | 第94-103页 |
·不同衬底上沉积Sb_2Te_3薄膜 | 第94-98页 |
·Sb_2Te_3薄膜的微观结构表征 | 第98-102页 |
·Sb_2Te_3薄膜的形成机理分析 | 第102-103页 |
·本章小结 | 第103-104页 |
参考文献 | 第104-105页 |
第五章 BI_2SE_3系热电薄膜材料制备表征及双层薄膜材料 | 第105-121页 |
·引言 | 第105-106页 |
·实验过程 | 第106-107页 |
·结果与分析 | 第107-115页 |
·不同衬底上沉积Bi_2Se_3薄膜 | 第108-109页 |
·Bi_2Se_3薄膜的微结构表征 | 第109-114页 |
·Bi_2Se_3薄膜的形成机理分析 | 第114-115页 |
·双层膜结构材料的初步研究 | 第115-119页 |
·本章小结 | 第119-120页 |
参考文献 | 第120-121页 |
第六章 薄膜电学性能的测定 | 第121-130页 |
·引言 | 第121-122页 |
·薄膜电学性能测试 | 第122-128页 |
·本章小结 | 第128-129页 |
参考文献 | 第129-130页 |
第七章 总结与展望 | 第130-133页 |
·论文总结 | 第130-131页 |
·展望 | 第131-133页 |
致谢 | 第133-134页 |
攻读博士期间发表的论文及参与的科研项目 | 第134-135页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第135页 |