基于0.18μm CMOS工艺射频MOSFET特性与建模研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-11页 |
| ·MOS场效应管性能回顾 | 第7-8页 |
| ·射频模型的重要性和发展现状 | 第8-9页 |
| ·所选课题的目的、意义及内容 | 第9-11页 |
| 第2章 MOSFET器件物理基础 | 第11-17页 |
| ·基本工作原理 | 第11-12页 |
| ·MOSFET的I/V特性 | 第12-15页 |
| ·MOS管简单大信号模型 | 第15页 |
| ·MOS管简单小信号模型 | 第15-17页 |
| 第3章 深亚微米RF CMOS工艺 | 第17-27页 |
| ·引论 | 第17页 |
| ·当前RF工艺简介 | 第17-20页 |
| ·GaAs工艺 | 第17-19页 |
| ·Si双极型工艺 | 第19页 |
| ·SiGe技术简介 | 第19-20页 |
| ·深亚微米CMOS工艺技术 | 第20-27页 |
| ·可行性 | 第20页 |
| ·RF CMOS工艺技术 | 第20-25页 |
| ·深亚微米RF CMOS存在的问题 | 第25-27页 |
| 第4章 MOSFET射频模型 | 第27-40页 |
| ·常用的几种MOSFET模型 | 第27-29页 |
| ·高频寄生元件 | 第29-32页 |
| ·栅电阻 | 第29-30页 |
| ·源极、漏极寄生电阻 | 第30-31页 |
| ·衬底电阻网络 | 第31-32页 |
| ·寄生电容 | 第32页 |
| ·AC小信号模型 | 第32-36页 |
| ·MOSFET器件结构和组成部分 | 第32-33页 |
| ·RF MOSFET等效电路 | 第33-36页 |
| ·核心简洁模型 | 第36-40页 |
| ·阈值电压 | 第37页 |
| ·漏极电流 | 第37-38页 |
| ·输出电阻 | 第38-40页 |
| 第5章 射频MOS版图优化、测量和建模 | 第40-58页 |
| ·版图的优化设计 | 第40-42页 |
| ·RF MOSFET子电路模型 | 第42-43页 |
| ·直流测量和建模 | 第43-48页 |
| ·阈值电压V_(th)的计算 | 第44-45页 |
| ·直流参数的提取 | 第45-48页 |
| ·射频测量和建模 | 第48-58页 |
| ·RF测量和de-embedding技术 | 第48-50页 |
| ·最大振荡频率f_(max)的分析 | 第50-52页 |
| ·截至频率f_T的分析 | 第52页 |
| ·RF器件参数的提取 | 第52-58页 |
| 结束语 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
