氢钝化对nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| ·研究硅基发光材料的意义 | 第10页 |
| ·硅基发光材料的主要研究方向 | 第10-11页 |
| ·硅基发光的几种物理模型 | 第11-13页 |
| ·纳米硅 | 第13-17页 |
| ·纳米硅的生长方法 | 第14页 |
| ·纳米硅的结构 | 第14-15页 |
| ·纳米硅光致发光光谱 | 第15-16页 |
| ·nc-Si/SiO_2超晶格 | 第16-17页 |
| ·硅基发光的钝化处理 | 第17-19页 |
| ·硅基发光材料的钝化方法 | 第17-18页 |
| ·纳米硅的氢钝化处理 | 第18-19页 |
| ·本论文的思路及主要研究内容 | 第19-21页 |
| 2 样品的制备与表征 | 第21-25页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第21页 |
| ·离子注入理论 | 第21-23页 |
| ·离子注入射程分布理论 | 第22页 |
| ·注入离子在靶中的浓度分布 | 第22-23页 |
| ·样品的制备 | 第23页 |
| ·样品的表征 | 第23-25页 |
| ·膜厚的测量 | 第23-24页 |
| ·激发光谱和发射光谱的测量 | 第24-25页 |
| 3 氢钝化对超晶格中nc-Si发光特性的影响 | 第25-32页 |
| ·悬挂键的形成 | 第25-26页 |
| ·实验结果与分析 | 第26-29页 |
| ·机理分析 | 第29-32页 |
| 4 氢钝化对超晶格中SiO_2缺陷发光的影响 | 第32-37页 |
| ·SiO_2缺陷的形成 | 第32-34页 |
| ·SiO_2缺陷的光谱 | 第34-35页 |
| ·机理分析 | 第35-37页 |
| 5 结论 | 第37-38页 |
| 1、氢钝化对nc-Si发光有比较明显的影响 | 第37页 |
| 2、氢钝化与SiO_2缺陷发光变化的关系 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 作者简历 | 第40-42页 |
| 学位论文数据集 | 第42页 |
