摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-13页 |
第1章 前言 | 第13-26页 |
·透波材料的研究进展 | 第13-23页 |
·有机天线罩透波材料 | 第13-14页 |
·无机天线罩透波材料 | 第14-23页 |
·多孔氮化硅陶瓷材料 | 第23-24页 |
·本论文研究背景及主要研究内容 | 第24-26页 |
·研究背景 | 第24页 |
·主要研究内容 | 第24-26页 |
第2章 天线罩材料电气设计与孔结构控制 | 第26-49页 |
·引言 | 第26页 |
·天线罩材料电气设计 | 第26-37页 |
·天线罩电气设计的电磁场理论基础 | 第26-29页 |
·传播过程中参数的计算 | 第29-33页 |
·单层介质材料传输系数计算 | 第33-34页 |
·双层介质材料传输系数的计算 | 第34-35页 |
·涂层对透波率的影响 | 第35-37页 |
·半波长厚壁结构天线罩透波率的计算结果与优化 | 第37-40页 |
·介质壁厚对透波率的影响 | 第37页 |
·介质介电常数对透波率的影响 | 第37页 |
·介质厚度在最佳波长时的透波率 | 第37-38页 |
·介质在不同入射角下的透波率 | 第38页 |
·涂层厚度对透波率的影响 | 第38-39页 |
·涂层介电常数对透波率的影响 | 第39页 |
·涂层与内层厚度比对透波率的影响 | 第39-40页 |
·天线罩壁厚的设计方法 | 第40-42页 |
·平均入射角法确定天线罩的壁厚 | 第40-41页 |
·准对称等相位法设计天线罩壁厚 | 第41-42页 |
·天线罩材料性能的理论预测 | 第42-44页 |
·介电性能 | 第42-43页 |
·机械性能 | 第43-44页 |
·抗热冲击性 | 第44页 |
·天线罩孔结构控制 | 第44-48页 |
·多孔陶瓷相对密度计算 | 第45-46页 |
·多孔陶瓷孔结构控制 | 第46-48页 |
·小结 | 第48-49页 |
第3章 梯度结构多孔氮化硅透波材料的制备与结构、性能 | 第49-68页 |
·引言 | 第49页 |
·实验与测试 | 第49-53页 |
·实验原料 | 第49-52页 |
·工艺流程 | 第52-53页 |
·结构、性能表征方法 | 第53-55页 |
·结构表征方法 | 第53页 |
·性能表征方法 | 第53-55页 |
·Si-C-N-O体系热力学分析 | 第55-56页 |
·Si-C-O体系热力学分析 | 第55-56页 |
·Si-C-N-O体系热力学分析 | 第56页 |
·造孔剂对多孔氮化硅陶瓷结构和性能的影响 | 第56-62页 |
·酚醛树脂对梯度多孔氮化硅陶瓷结构和性能的影响 | 第56-60页 |
·玉米淀粉对多孔氮化硅陶瓷结构和性能的影响 | 第60-62页 |
·梯度多孔氮化硅陶瓷的制备及性能 | 第62-67页 |
·气孔率呈梯度分布的多孔氮化硅陶瓷 | 第62-65页 |
·孔径尺寸呈梯度分布的多孔氮化硅陶瓷 | 第65-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
第4章 氮化物基陶瓷透波材料的制备与性能 | 第68-97页 |
·氮化物基陶瓷透波材料制备和表征方法 | 第68-69页 |
·实验原料 | 第68页 |
·试样制备 | 第68-69页 |
·性能表征 | 第69页 |
·长柱状晶体的生长模型和机理 | 第69-71页 |
·烧结助剂对Si3N4基材料的影响 | 第71-80页 |
·氧化铝对Si_3N_4基材料结构和性能的影响 | 第71-72页 |
·氧化钇对Si_3N_4基材料结构和性能的影响 | 第72-80页 |
·第二相颗粒增强Si-B-N-O系陶瓷复合材料 | 第80-88页 |
·BN颗粒对Si-B-N-O系复合材料性能的影响 | 第80-84页 |
·纳米SiO_2对BN/Si_3N_4陶瓷复合材料性能的影响 | 第84-88页 |
·BN纤维增强Si_3N_4透波材料的制备与性能测试 | 第88-96页 |
·BN纤维的制备 | 第89-90页 |
·BN纤维/Si_3N_4复合材料的制备 | 第90-91页 |
·BN纤维的界面处理 | 第91-92页 |
·BN纤维/Si_3N_4复合材料的力学性能 | 第92-95页 |
·三维编织3DBN纤维/Si_3N_4复合材料的透波性能 | 第95-96页 |
·小结 | 第96-97页 |
第5章 抗雨蚀涂层对Si-B-N-O系复合材料的影响 | 第97-112页 |
·SiO_2涂层的制备及对Si-B-N-O系透波材料的影响 | 第97-101页 |
·SiO_2涂层的制备与表征 | 第97-98页 |
·SiO_2涂层防潮性能 | 第98-100页 |
·SiO_2防潮涂层对天线罩体介电性能和透波性能的影响 | 第100-101页 |
·LPCVD Si_3N_4薄膜的制备及对Si-B-N-O系复合材料的影响 | 第101-111页 |
·LPCVD氮化硅薄膜的制备 | 第101-103页 |
·连续Si_3N_4薄膜的生长机制研究 | 第103-106页 |
·Si_3N_4薄膜的成分、结构分析 | 第106-109页 |
·LPCDV氮化硅薄膜的防潮性能 | 第109页 |
·LPCVD氮化硅薄膜的对天线罩体介电性能和透波性能的影响 | 第109-111页 |
·小结 | 第111-112页 |
第6章 氮化物陶瓷天线罩的制备及应用评价 | 第112-124页 |
·半波长壁厚Si-B-N-O系陶瓷天线罩体的制备 | 第112-116页 |
·天线罩罩体冷等静压成型 | 第112页 |
·天线罩罩体气氛压力烧结 | 第112-113页 |
·天线罩罩体精密冷加工技术 | 第113-116页 |
·Si_3N_4基材料的氧化机理 | 第116-118页 |
·Si-B-N-O系陶瓷材料耐烧蚀性能评价 | 第118-120页 |
·Si-B-N-O系陶瓷天线罩体静力强度 | 第120-122页 |
·Si-B-N-O系陶瓷天线罩体透波性能 | 第122页 |
·Si-B-N-O系陶瓷天线罩体无损探伤 | 第122-123页 |
·小结 | 第123-124页 |
第7章 结论 | 第124-126页 |
参考文献 | 第126-133页 |
攻读博士期间发表和待发表学术论文、专著及专利等目录 | 第133-135页 |
致谢 | 第135页 |