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CMOS低噪声放大器的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-17页
   ·本论文研究的目的和意义第11-13页
   ·CMOS 低噪声放大器的研究进展第13-15页
     ·CMOS 放大器第13-14页
     ·源极电感负反馈低噪声放大器第14页
     ·高线性低噪声放大器第14-15页
   ·本文的主要研究内容第15-16页
     ·射频中一些基本概念的介绍第15页
     ·5.7GHz 全集成低噪声放大器的设计第15-16页
     ·级间匹配低噪声放大器第16页
     ·高线性度的低噪声放大器设计第16页
   ·本文的结构安排第16-17页
第二章 无线局域网与射频电路的基本概念第17-35页
   ·引言第17页
   ·无线局域网第17-21页
     ·无线局域网概述第17-18页
     ·无线局域网标准第18-19页
     ·无线局域网的特点与优势第19-20页
     ·无线局域网射频电路设计面临的挑战第20-21页
   ·噪声第21-29页
     ·MOSFET 噪声源第21-24页
     ·低噪声放大器的噪声源第24-26页
     ·噪声系数第26-27页
     ·经典的二端口噪声理论第27-29页
     ·噪声系数的计算第29页
   ·非线性特性第29-34页
     ·线性的定义第29-30页
     ·非线性的来源第30页
     ·非线性造成的影响第30-34页
     ·系统的非线性第34页
   ·小结第34-35页
第三章 5.7GHZ 全集成CMOS LNA 的设计第35-48页
   ·引言第35页
   ·低噪声放大器的结构分析第35-41页
     ·一般的低噪声放大器结构分析第35-38页
     ·提出的低噪声放大器结构第38-41页
   ·提出的低噪声放大器的小信号分析第41-44页
     ·共源级小信号分析第41-43页
     ·共栅级小信号分析第43-44页
     ·共源共栅级联结构的小信号分析第44页
   ·提出的低噪声放大器的噪声性能分析第44-46页
   ·仿真结果第46-47页
   ·小结第47-48页
第四章 级间匹配低噪声放大器结构第48-52页
   ·引言第48页
   ·级间匹配低噪声放大器结构第48-49页
   ·级间匹配结构的影响第49-51页
     ·对增益的影响第49-50页
     ·对噪声系数的影响第50-51页
     ·对稳定性的影响第51页
   ·仿真结果第51页
   ·小结第51-52页
第五章 高线性度低噪声放大器的设计第52-72页
   ·引言第52页
   ·CMOS LNA 的非线性分析方法第52-59页
     ·幂级数分析法第52-54页
     ·Volterra 级数分析法第54-59页
   ·几种提高非线性度的方法第59-64页
     ·直接补偿法第59-60页
     ·中等反型区偏置的方法第60-61页
     ·前馈补偿法第61-62页
     ·亚阈区MOSFET 补偿法第62-63页
     ·线性区MOSFET 补偿法第63-64页
   ·提出的非线性补偿低噪声放大器结构第64-71页
     ·单端共源共栅结构的高频非线性分析第64-67页
     ·补偿电路结构分析第67-68页
     ·提出的LNA 电路结构第68-70页
     ·仿真结果第70-71页
   ·小结第71-72页
总结与展望第72-73页
参考文献第73-76页
致谢第76-77页
附录 A(攻读学位期间发表论文目录)第77页

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