硅基二维光子晶体光电化学制备技术研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
目录	第6-7页
第一章 绪论	第7-13页
·引言	第7页
·光子晶体的产生和特性概述	第7-8页
·光子晶体的应用	第8-11页
·本课题主要研究内容	第11-13页
第二章 光子晶体理论研究	第13-24页
·光子晶体的基本原理	第13-15页
·光子晶体的麦克斯韦方程	第15-17页
·光子晶体的理论研究方法	第17-18页
·光子晶体的制备	第18-24页
第三章 硅光电化学加工原理	第24-41页
·概述	第24页
·硅片的热氧化	第24-26页
·光刻工艺原理	第26-28页
·硅基片的各向异性湿法刻蚀原理	第28-30页
·硅的电化学腐蚀原理	第30-41页
第四章 二维光子晶体结构形成的工艺实验	第41-48页
·工艺流程概述	第41页
·硅片的热氧化过程	第41页
·诱导坑制备实验	第41-44页
·硅的电化学刻蚀实验	第44-48页
第五章 工艺实验中的影响因素分析	第48-59页
·热氧化过程中的问题与分析	第48-49页
·光刻中遇到的困难和 BHF对掩膜的影响	第49-50页
·诱导坑缺陷对电化学的影响	第50-51页
·光电化学腐蚀技术的影响因素	第51-55页
·光电化学过程中存在的几种效应	第55-56页
·实验结果以及分析	第56-59页
结论	第59-61页
致谢	第61-62页
参考文献	第62-64页