| 论文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 中性分子的冷却与囚禁 | 第11-30页 |
| §1.1 引言 | 第11-12页 |
| §1.2 中性分子的静电、静磁和激光操控原理 | 第12-13页 |
| §1.3 制备冷分子的实验方法及其结果 | 第13-14页 |
| §1.4 中性冷分子的囚禁方案、实验结果及其最新进展 | 第14-27页 |
| ·弱场搜寻态极性分子的静电囚禁 | 第14-16页 |
| ·极性冷分子的交流静电囚禁 | 第16-19页 |
| ·采用存储环的冷分子静电囚禁 | 第19-21页 |
| ·强场搜寻态极性分子的静电囚禁 | 第21-22页 |
| ·冷分子的微波囚禁 | 第22-23页 |
| ·顺磁冷分子的静磁囚禁 | 第23-24页 |
| ·实现连续装载的静电囚禁 | 第24-25页 |
| ·超冷分子的激光囚禁 | 第25-27页 |
| §1.5 本文的研究工作 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第二章 采用环行载荷导线实现冷分子静电表面囚禁的新方案 | 第30-50页 |
| §2.1 引言 | 第30-31页 |
| §2.2 表面静电囚禁方案 | 第31-32页 |
| §2.3 理论计算与分析 | 第32-44页 |
| ·囚禁中心与几何参数的关系 | 第32-34页 |
| ·环行载荷导线产生的静电场分布与几何参数的关系 | 第34-40页 |
| ·实验方案的可行性分析 | 第40-44页 |
| §2.4 冷分子装载过程的Monte-Carlo模拟 | 第44-48页 |
| §2.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第三章 采用方形载荷导线的静电表面囚禁及其2D静电晶格 | 第50-66页 |
| §3.1 引言 | 第50-53页 |
| §3.2 静电表面囚禁方案 | 第53-54页 |
| §3.3 理论计算与分析 | 第54-59页 |
| ·囚禁中心与几何参数的关系 | 第54-56页 |
| ·静电场分布与几何参数的关系 | 第56-59页 |
| §3.4 采用方形载荷导线阵列形成的2D静电晶格 | 第59-63页 |
| ·2D方形静电晶格方案 | 第59-62页 |
| ·静电晶格中单个微阱的电场计算和结果讨论 | 第62-63页 |
| §3.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第四章 总结及其展望 | 第66-68页 |
| §4.1 本文研究工作的总结 | 第66-67页 |
| §4.2 本文的主要创新点 | 第67页 |
| §4.3 未来研究工作的展望 | 第67-68页 |
| 附录:硕士阶段发表和待发表的论文目录 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
