| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·IrO_2薄膜常见的制备方法 | 第7-11页 |
| ·溅射法 | 第7-8页 |
| ·金属有机化学气相沉积法 | 第8-9页 |
| ·热分解法 | 第9页 |
| ·电化学沉积法 | 第9-10页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第10-11页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第11页 |
| ·实验内容和目的 | 第11-13页 |
| ·研究内容 | 第11-12页 |
| ·研究目的 | 第12-13页 |
| 第二章 脉冲激光沉积(PLD)技术简介 | 第13-22页 |
| ·概述 | 第13-15页 |
| ·PLD的基本原理 | 第15-19页 |
| ·激光与靶的相互作用 | 第15-17页 |
| ·烧蚀物的传输 | 第17-18页 |
| ·等离子体在衬底上成核、长大形成薄膜 | 第18-19页 |
| ·PLD技术的优缺点 | 第19-22页 |
| 第三章 IrO_2薄膜的制备与结构表征 | 第22-47页 |
| ·实验过程 | 第22-24页 |
| ·薄膜微观结构的分析方法 | 第24-26页 |
| ·激光拉曼光谱 (Raman) | 第24-25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25页 |
| ·扫面电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第25-26页 |
| ·IrO_2薄膜的PLD沉积 | 第26-46页 |
| ·氧分压对生长IrO_2薄膜的影响 | 第26-29页 |
| ·衬底温度对生长IrO_2薄膜的影响 | 第29-36页 |
| ·激光能量对生长IrO_2薄膜的影响 | 第36-40页 |
| ·衬底和靶的距离对生长IrO_2薄膜的影响 | 第40-43页 |
| ·退火温度对生长IrO_2薄膜的影响 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 IrO_2薄膜电性能的研究 | 第47-56页 |
| ·微区薄层电阻四探针测试仪的原理 | 第47-48页 |
| ·不同工艺参数对薄膜的电阻率的影响 | 第48-54页 |
| ·厚度对IrO_2薄膜电阻率的影响 | 第48-49页 |
| ·不同氧分压对 IrO_2薄膜电阻率的影响 | 第49-50页 |
| ·不同衬底温度对 IrO_2薄膜电阻率的影响 | 第50-51页 |
| ·不同激光能量对 IrO_2薄膜电阻率的影响 | 第51-52页 |
| ·不同衬底和靶的距离对 IrO_2薄膜电阻率的影响 | 第52-53页 |
| ·不同热处理工艺对 IrO_2薄膜电阻率的影响 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61页 |