学位论文原创性声明和学位论文版权使用授权书 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-14页 |
第1章 绪论 | 第14-21页 |
·红外探测的基本原理 | 第15-16页 |
·红外辐射及光谱的划分 | 第15页 |
·红外探测技术的分类 | 第15-16页 |
·热释电红外探测的原理和器件 | 第16-18页 |
·热释电效应的定性分析 | 第16页 |
·热释电红外探测器的构成 | 第16-18页 |
·热释电红外探测器专用控制芯片的发展 | 第18-19页 |
·PID 专用控制芯片的性能参数 | 第19页 |
·本论文的主要工作 | 第19-21页 |
第2章 MOSFET 的亚阈值温度模型与CMOS 工艺中的器件 | 第21-28页 |
·MOS 器件的亚阈值模型 | 第21-22页 |
·CMOS 工艺下的双极型晶体管 | 第22-25页 |
·衬底PNP 管VEB 信号 | 第22-24页 |
·与绝对温度成正比的电压 | 第24-25页 |
·串联电阻 | 第24页 |
·电流增益变化 | 第24-25页 |
·大注入效应 | 第25页 |
·Early 效应 | 第25页 |
·CMOS 工艺下的电阻 | 第25-26页 |
·CMOS 工艺下的电容 | 第26-27页 |
·CMOS 工艺条件 | 第27-28页 |
第3章 PID 专用控制芯片模拟电路的设计 | 第28-50页 |
·PIR 传感器 | 第28-30页 |
·PID 专用控制芯片的结构 | 第30-31页 |
·PID 专用控制芯片的性能参数与引脚说明 | 第31-33页 |
·PID 专用控制芯片的模拟电路 | 第33-41页 |
·偏置电路及其启动电路 | 第33-34页 |
·带隙基准电压源电路 | 第34-37页 |
·带隙基准原理 | 第34-35页 |
·带隙基准的结构与电路 | 第35-37页 |
·滤波放大电路 | 第37-40页 |
·带通滤波放大电路的结构 | 第37-40页 |
·片内集成的运放 | 第40页 |
·模数接口电路 | 第40-41页 |
·模拟电路的仿真结果 | 第41-49页 |
·偏置电路的仿真结果 | 第41-43页 |
·带隙基准电压源的仿真结果 | 第43-46页 |
·带通滤波放大电路的仿真结果 | 第46-47页 |
·模数接口电路的仿真结果 | 第47-49页 |
·小结 | 第49-50页 |
第4章 PID 专用控制芯片数字电路的设计 | 第50-73页 |
·PID 专用控制芯片数字电路的结构 | 第50-51页 |
·专用控制芯片数字电路的设计 | 第51-66页 |
·数字电路的单元电路 | 第51-56页 |
·CMOS 反相器 | 第51-53页 |
·CMOS 开关和传输门 | 第53-54页 |
·D 触发器 | 第54-55页 |
·施密特触发器 | 第55-56页 |
·振荡电路 | 第56-57页 |
·上电复位电路 | 第57-58页 |
·CDS 传感器信号处理电路 | 第58页 |
·系统时钟电路 | 第58-59页 |
·延迟时钟电路 | 第59-60页 |
·过零检测电路 | 第60-61页 |
·控制和输出电路 | 第61-64页 |
·其他辅助的数字模块子电路 | 第64-66页 |
·数字电路的仿真 | 第66-72页 |
·含模拟器件数字模块子电路的仿真 | 第66-68页 |
·其他数字模块子电路的仿真 | 第68-72页 |
·小结 | 第72-73页 |
第5章 影响电路性能的因素及改进方法 | 第73-82页 |
·电流镜的影响与改善 | 第73-74页 |
·基本电流镜 | 第73-74页 |
·共源共栅电流镜 | 第74页 |
·CMOS 反相器的影响与改善 | 第74-75页 |
·版图的设计与改善 | 第75-80页 |
·版图几何尺寸的影响 | 第76-77页 |
·栅面积 | 第76-77页 |
·晶体管排列方向 | 第77页 |
·MOS 管匹配设计规则 | 第77-78页 |
·电阻设计 | 第78-79页 |
·PID 专用控制芯片的版图设计 | 第79-80页 |
·芯片应用系统的设计与改善 | 第80-81页 |
·芯片的测试结果与分析 | 第81-82页 |
结论 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-87页 |
附录A (攻读学位期间所发表学术论文目录) | 第87-88页 |
致谢 | 第88页 |