| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 第一节 引言 | 第8页 |
| 第二节 一维材料在场发射领域中的应用 | 第8-12页 |
| 第三节 一维SiC 纳米材料的制备及场发射性质研究进展 | 第12-15页 |
| 第四节 本文研究的主要内容及实验路线 | 第15-17页 |
| 第二章 SiC 纳米线的制备 | 第17-25页 |
| 第一节 引言 | 第17页 |
| 第二节 碳纳米管的控制生长 | 第17-21页 |
| 第三节 SiC 纳米线的制备 | 第21-25页 |
| 第三章 SiC 纳米线的场发射性质研究 | 第25-45页 |
| 第一节 引言 | 第25页 |
| 第二节 场发射理论及测量设备 | 第25-31页 |
| 第三节 SiC 纳米线的场发射性质 | 第31-42页 |
| 第四节 SiC 纳米线场发射机制初步探讨 | 第42-45页 |
| 第四章 碳纳米管和SiC 纳米线场发射性能的对比研究 | 第45-48页 |
| 第一节 引言 | 第45页 |
| 第二节 碳纳米管的场发射性能 | 第45-46页 |
| 第三节 碳纳米管和SiC 纳米线场发射性能的对比 | 第46-48页 |
| 第五章 结论及展望 | 第48-50页 |
| 第一节 结论 | 第48-49页 |
| 第二节 下一步要开展的工作与展望 | 第49-50页 |
| 附录 制备SiC 纳米线相关设备介绍 | 第50-55页 |
| A.等离子体增强化学气相沉积设备 | 第50-52页 |
| B.磁控溅射仪 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |