| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-16页 |
| ·铁电材料及其应用 | 第9-12页 |
| ·PZT 材料简介 | 第12页 |
| ·PZT 薄膜制备方法简介 | 第12-14页 |
| ·PZT 薄膜晶化工艺现状 | 第14-15页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第15-16页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第16-25页 |
| ·PZT 薄膜制备方法 | 第16-17页 |
| ·PZT 铁电薄膜的晶化方法 | 第17-18页 |
| ·PZT 薄膜晶化实验中分析表征方法 | 第18-25页 |
| ·PZT 薄膜的物相分析 | 第18-19页 |
| ·PZT 薄膜的形貌与表面微结构分析 | 第19-21页 |
| ·铁电PZT 薄膜电畴表征及电性能测试 | 第21-25页 |
| ·PFM 的表面电畴成像技术 | 第21-23页 |
| ·P-E 曲线与介电性能测试 | 第23-25页 |
| 第三章 晶化过程的实验结果与讨论 | 第25-44页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·升温速率对PZT 薄膜结构取向的影响 | 第25-27页 |
| ·保温时间与退火温度对PZT 薄膜结构取向的影响 | 第27-31页 |
| ·降温速率对PZT 薄膜结构取向的影响 | 第31-32页 |
| ·晶化过程取向生长的理论分析 | 第32-42页 |
| ·形核机理的简单描述 | 第32-37页 |
| ·晶粒生长过程中应力对薄膜取向生长的影响 | 第37-40页 |
| ·williamson-Hall 方法对薄膜残余应力的简单测定 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 第四章 PZT 薄膜的铁电畴结构与表征 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·形核结晶初期铁电畴的生长行为研究 | 第45-50页 |
| ·不同取向PZT 薄膜的电畴结构与讨论 | 第50-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 PZT 薄膜电性能初探 | 第57-60页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·电滞回线测试结果分析与讨论 | 第57-58页 |
| ·介电特性测试结果分析与讨论 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历及在读期间发表的论文和申请的专利 | 第65页 |