| 第一章 MOTOROLA 单片机及其内嵌EEPROM 简介 | 第1-22页 |
| 1．1 单片机简介 | 第7-8页 |
| 1．2 我国的MCU 市场走势 | 第8-9页 |
| 1．3 摩托罗拉单片机简介 | 第9-16页 |
| 1．3．1 MOTOROLA 单片机 | 第10-12页 |
| 1．3．2 MC68HC05PV8 及其在汽车中的应用 | 第12-15页 |
| 1．3．3 PV8 在智能玻璃升降器中的应用 | 第15-16页 |
| 1．4 半导体存储器及其失效方式 | 第16-18页 |
| 1．4．1 半导体存储器简介 | 第16页 |
| 1．4．2 半导体存储器失效方式 | 第16-18页 |
| 1．5 EEPROM 简介 | 第18-21页 |
| 1．6 本课题的研究内容与目标 | 第21-22页 |
| 第二章 EEPROM 的原理 | 第22-28页 |
| 2．1 Fowler-Nordheim 隧道效应 | 第22-23页 |
| 2．2 FLOTOX 管结构及存储信息原理 | 第23-25页 |
| 2．2．1 FLOTOX 管结构 | 第23-24页 |
| 2．2．2 EEPROM 存储单元的工作原理 | 第24-25页 |
| 2．3 FLOTOX 双管EEPROM 位元电路 | 第25-28页 |
| 第三章 含有EEPROM 的产品的老化实验——Burn In | 第28-35页 |
| 3．1 Burn-In 简介 | 第28-30页 |
| 3．2 PV8 的Burn-In 流程 | 第30页 |
| 3．3 PV8 的典型Burn-In 次品 | 第30-32页 |
| 3．4 目前PV8 产品所存在的一些问题 | 第32-35页 |
| 第四章 Burn-In 时间的减少 | 第35-40页 |
| 4．1 产品的失效率 | 第35-36页 |
| 4．2 一般计算早期失效期的方法 | 第36-37页 |
| 4．3 对产品老化实验时间的计算、采样、评估流程 | 第37-39页 |
| 4．4 结论 | 第39-40页 |
| 第五章 Burn-In 过程中BIN2/3 次品的减少 | 第40-49页 |
| 5．1 问题的产生 | 第40页 |
| 5．2 老化实验硬件环境简介 | 第40-44页 |
| 5．2．1 状态字节 | 第41-42页 |
| 5．2．2 BULK 擦除 | 第42页 |
| 5．2．3 写入/擦除循环 | 第42-43页 |
| 5．2．4 Burn-In 前EEPROM 的状态 | 第43页 |
| 5．2．5 驱动板和接触检查程序 | 第43页 |
| 5．2．6 Burn-In 电压和频率 | 第43-44页 |
| 5．3 PV8 Burn-In 程序的修改 | 第44-49页 |
| 第六章 前道工序对良品率的影响 | 第49-70页 |
| 6．1 EEPROM 阈值电压的变化对其性能的表征 | 第49-53页 |
| 6．1．1 EEPROM 在不同工作状态时阈值电压的变化 | 第49-50页 |
| 6．1．2 EEPROM 在不同使用时期时阈值电压的变化 | 第50-53页 |
| 6．1．3 结论 | 第53页 |
| 6．2 EEPROM 的内在可靠性问题 | 第53-58页 |
| 6．2．1 EEPROM 擦写持久性问题 | 第54页 |
| 6．2．2 EEPROM 数据保持能力 | 第54页 |
| 6．2．3 EEPROM 读出干扰 | 第54-55页 |
| 6．2．4 EEPROM 不稳定的擦除 | 第55-57页 |
| 6．2．5 EEPROM 擦写循环后的数据保持 | 第57页 |
| 6．2．6 实际次品分析 | 第57-58页 |
| 6．3 EEPROM 的击穿问题 | 第58-66页 |
| 6．3．1 实际次品分析 | 第65-66页 |
| 6．4 前道工艺对产品可靠性影响的及改进提高 | 第66-70页 |
| 第七章 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第76-77页 |
| 附录 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
