| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 MgB_2超导电性研究进展 | 第10-30页 |
| 1．1 MgB_2的结构及超导特性 | 第10-15页 |
| 1．2 MgB_2的电子结构 | 第15-18页 |
| 1．3 MgB_2的超导机制:声子媒介的双能隙配对机制 | 第18-21页 |
| 1．4 有关掺杂、替代研究 | 第21-22页 |
| 1．5 其它相关化合物的研究 | 第22-24页 |
| 1．6 参考文献 | 第24-30页 |
| 第二章 离子晶体中的本征点缺陷 | 第30-41页 |
| 2．1 点缺陷的分类及命名 | 第30-32页 |
| 2．2 离子晶体中的自陷态激子 | 第32-36页 |
| 2．3 晶格缺陷的产生与自陷态激子的衰变 | 第36-39页 |
| 2．4 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 计算原理和方法 | 第41-53页 |
| 3．1 多体问题 | 第41-42页 |
| 3．2 Hartree-Fock方法 | 第42-44页 |
| 3．3 密度泛函理论 | 第44-47页 |
| 3．4 LMTO方法 | 第47-51页 |
| 3．4．1 原子球近似的 LMTO方法(LMTO-ASA) | 第47-48页 |
| 3．4．2 全势能的线性 Muffin-tin轨道方法(FP-LMTO) | 第48-49页 |
| 3．4．3 线性响应的线性 Muffin-tin轨道方法(LR-LMTO) | 第49-51页 |
| 3．5 本论文所采用的计算方法 | 第51页 |
| 3．6 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 MgB_2型系统从三维向二维的跨越 | 第53-63页 |
| 4．1 引言 | 第53-54页 |
| 4．2 计算方法 | 第54-55页 |
| 4．3 结果与讨论 | 第55-60页 |
| 4．3．1 能带结构 | 第55-57页 |
| 4．3．2 态密度(DOS) | 第57-59页 |
| 4．3．3 电-声子耦合 | 第59-60页 |
| 4．4 本章小结 | 第60页 |
| 4．5 参考文献 | 第60-63页 |
| 第五章 MgB_2薄膜的量子尺寸效应 | 第63-74页 |
| 5．1 引言 | 第63-64页 |
| 5．2 计算方法 | 第64-65页 |
| 5．3 结果与讨论 | 第65-71页 |
| 5．4 本章小结 | 第71-72页 |
| 5．5 参考文献 | 第72-74页 |
| 第六章 三元硅化物 MAlSi(M=Ca，Sr，Ba)的电子结构及电-声子相互作用 | 第74-90页 |
| 6．1 引言 | 第74-78页 |
| 6．2 计算方法 | 第78页 |
| 6．3 电子结构 | 第78-81页 |
| 6．4 晶格振动及电-声子耦合 | 第81-87页 |
| 6．5 本章小结 | 第87页 |
| 6．6 参考文献 | 第87-90页 |
| 第七章 KMgF_3晶体中的本征缺陷 | 第90-105页 |
| 7．1 引言 | 第90-91页 |
| 7．2 计算方法 | 第91-94页 |
| 7．3 结果与讨论 | 第94-102页 |
| 7．3．1 自陷态空穴(V_K心) | 第94-96页 |
| 7．3．2 自陷态激子(STE) | 第96-100页 |
| 7．3．3 F心 | 第100-102页 |
| 7．4 本章小结 | 第102页 |
| 7．5 参考文献 | 第102-105页 |
| 博士期间发表和完成论文情况 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106页 |
