| 摘要 | 第1-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-15页 |
| 1-1 引言 | 第7-8页 |
| 1-2 硅锗体单晶的材料特性 | 第8-10页 |
| 1-2-1 硅、锗的性质 | 第8-9页 |
| 1-2-2 硅锗材料的性质 | 第9-10页 |
| 1-3 锗对硅材料性能的影响 | 第10-13页 |
| 1-3-1 锗对硅材料电学性能的影响 | 第10-11页 |
| 1-3-2 锗对硅单晶中本征点缺陷及辐照缺陷的影响 | 第11-12页 |
| 1-3-3 锗对硅材料热学性能的影响 | 第12-13页 |
| 1-3-4 锗对硅材料力学性能的影响 | 第13页 |
| 1-4 锗在硅中的扩散 | 第13-14页 |
| 1-5 锗在直拉硅单晶中的分凝现象 | 第14页 |
| 1-6 锗在硅中的存在状态 | 第14-15页 |
| 第二章 硅单晶中杂质锗浓度的测定及有效分凝系数的确定 | 第15-28页 |
| 2-1 分凝现象与分凝系数 | 第15页 |
| 2-2 CZSiGe单晶的制备 | 第15-16页 |
| 2-3 锗含量的测定 | 第16-20页 |
| 2-3-1 电感耦合等离子体(ICP)直读光谱仪测锗的含量 | 第16-18页 |
| 2-3-2 二次离子质谱(SIMS)法测锗的含量 | 第18-19页 |
| 2-3-3 扫描电镜(SEM)结合能谱分析法测锗的含量 | 第19-20页 |
| 2-4 有效分凝系数的计算及凝固分数与径纵向锗浓度的关系 | 第20-23页 |
| 2-4-1 有效分凝系数的计算 | 第20-22页 |
| 2-4-2 凝固分数与径纵向锗浓度的关系 | 第22-23页 |
| 2-5 杂质锗的分布规律及单晶中Ge的分布图 | 第23-26页 |
| 2-5-1 杂质锗的纵向及径向的分布规律 | 第23-25页 |
| 2-5-2 单晶中锗的分布图 | 第25-26页 |
| 2-6 结果分析与讨论 | 第26-28页 |
| 2-6-1 在晶体生长过程中影响锗分凝系数的因素 | 第26页 |
| 2-6-2 测试条件及计算方法对锗分凝系数的影响 | 第26-27页 |
| 2-6-3 测试方法优缺点的比较 | 第27-28页 |
| 第三章 CZSiGe单晶中的氧碳及FTIR谱图 | 第28-40页 |
| 3-1 CZSiGe单晶中的氧碳 | 第28-31页 |
| 3-1-1 CZSiGe单晶中的氧 | 第28-30页 |
| 3-1-2 CZSiGe单晶中的碳 | 第30-31页 |
| 3-2 FTIR谱图的测定 | 第31-40页 |
| 3-2-1 红外吸收光谱仪基本原理 | 第31-32页 |
| 3-2-2 实验过程 | 第32页 |
| 3-2-3 实验结果及讨论 | 第32-36页 |
| 3-2-4 晶胞参数的测定 | 第36页 |
| 3-2-5 原子层面的观察 | 第36-39页 |
| 3-2-6 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 CZSiGe单晶光学禁带宽度的测定 | 第40-44页 |
| 4-1 实验方法 | 第40页 |
| 4-2 实验结果与分析 | 第40-43页 |
| 4-3 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第50页 |
