| 第一章 引言 | 第1-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-25页 |
| 2．1 半导体激光器 | 第11-15页 |
| 2．2 980nm应变量子阱激光器 | 第15-18页 |
| 2．3 分子束外延 | 第18-22页 |
| 2．4 本章小结 | 第22-25页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性质 | 第25-34页 |
| 3．1 基本理论 | 第25-28页 |
| 3．2 GaAs、GaP、InAs、InP、AlAs材料的基本参数 | 第28页 |
| 3．3 GaInAs、GaInP、GaInAsP材料的基本性质 | 第28-33页 |
| 3．3．1 晶格常数 | 第28-30页 |
| 3．3．2 间隙能量 | 第30-31页 |
| 3．3．3 折射率 | 第31-33页 |
| 3．4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 980nm GaInAs/GaInAsP应变量子阱激光器设计 | 第34-62页 |
| 4．1 应变量子阱激光器基本理论 | 第34-40页 |
| 4．1．1 前言 | 第34-35页 |
| 4．1．2 应变量子阱的能带结构 | 第35-38页 |
| 4．1．3 晶格匹配 | 第38页 |
| 4．1．4 临界厚度 | 第38-40页 |
| 4．2 GaInAs/GaInAsP应变量子阱的能带结构 | 第40-46页 |
| 4．3 GaInAs/GaInAsP应变补偿量子阱激光器 | 第46-47页 |
| 4．4 GaInAs/GaInAsP应变量子阱激光器波导层的研究 | 第47-57页 |
| 4．4．1 光在多层平板波导层中的传播系数 | 第48-50页 |
| 4．4．2 多波导层激光器的限制因子 | 第50-53页 |
| 4．4．3 多波导层激光器的光学模式 | 第53-57页 |
| 4．5 980nm应变量子阱激光器的结构设计 | 第57-61页 |
| 4．6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 Ⅲ-Ⅴ族化合物材料的分子束外延生长 | 第62-68页 |
| 5．1 分子束外延（GSMBE）设备基本结构 | 第62-64页 |
| 5．2 分子束外延（GSMBE）设备基本原理 | 第64-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录 | 第78-82页 |
| 发表文章 | 第82页 |
| 个人简历 | 第82页 |
