| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-13页 |
| ·超导体的发现与发展 | 第9-11页 |
| ·研究超导体辐照效应的目的意义 | 第11-13页 |
| 第二章 高温超导体及其辐照效应研究发展现状 | 第13-28页 |
| ·高温超导体研究现状 | 第14-19页 |
| ·Y系、Bi系和Tl系超导薄膜和带材的研制 | 第14-16页 |
| ·Y系、Bi系和Tl系超导体单晶生长技术的研究 | 第16-17页 |
| ·高温超导体实用技术研究 | 第17页 |
| ·新的高温超导体系列的研制 | 第17-19页 |
| ·Tl系高温超导体的研制 | 第19-21页 |
| ·原料及处理方法 | 第19-20页 |
| ·结果分析 | 第20-21页 |
| ·高温超导体辐照效应的研究现状 | 第21-28页 |
| ·电子对高温超导体的辐照效应 | 第21-22页 |
| ·中子对高温超导体的辐照效应 | 第22-23页 |
| ·质子对高温超导体的辐照效应 | 第23-24页 |
| ·轻离子对高温超导体的辐照效应 | 第24-25页 |
| ·重离子对高温超导体的辐照效应 | 第25-26页 |
| ·其它射线对高温超导体的辐照效应 | 第26-28页 |
| 第三章 高温超导体辐照样品的制作 | 第28-32页 |
| ·Y系陶瓷样品的制作 | 第29-30页 |
| ·Y系熔融样品 | 第30页 |
| ·Bi系陶瓷的样品 | 第30页 |
| ·纳米级Bi系超细粉未烧结样品 | 第30-31页 |
| ·Bi系银包套带材 | 第31-32页 |
| 第四章 高温超导体临界温度Tc的辐照效应研究 | 第32-51页 |
| ·在线测量方法 | 第33-34页 |
| ·辐照实验装置 | 第34-39页 |
| ·65K辐照实验装置 | 第34-36页 |
| ·20K低温辐照实验装置 | 第36-39页 |
| ·辐照实验条件及结果 | 第39-47页 |
| ·65K下35MeV质子辐照Y-系高温超导体 | 第39页 |
| ·65K下35MeV质子辐照Bi-系高温超导体 | 第39-40页 |
| ·30K下20MeV质子辐照Bi-系高温超导体 | 第40-41页 |
| ·30K下22MeV质子及其产生γ射线对Bi-系超导体Tco的影响 | 第41-47页 |
| ·实验结果分析 | 第47-51页 |
| ·γ射线电离激发使样品Tco提高 | 第48页 |
| ·高能的γ射线辐照对超导体微观结构的损伤 | 第48-51页 |
| 第五章 高温超导体临界温度Tc辐照效应理论分析 | 第51-63页 |
| ·高温超导体超导载流子分析 | 第52-54页 |
| ·空穴的来源 | 第52页 |
| ·空穴配对 | 第52-54页 |
| ·高温超导体的基态能量 | 第54-56页 |
| ·高温超导体的基态能隙方程 | 第56-58页 |
| ·高温超导体的临界温度与能隙的关系 | 第58-61页 |
| ·高温超导体能隙与空穴浓度的关系 | 第61-62页 |
| ·高温超导体临界温度Tc辐照效应理论分析 | 第62-63页 |
| 第六章 高温超导体临界电流密度Jc的辐照效应研究 | 第63-102页 |
| ·临界电流密度的测量 | 第64-68页 |
| ·原始△ε_f-Ⅰ曲线测定 | 第68-70页 |
| ·辐照实验装置 | 第70-76页 |
| ·样品的辐照条件及结果 | 第76-99页 |
| ·实验结果分析 | 第99-102页 |
| 第七章 总结 | 第102-105页 |
| 参考文献 | 第105-111页 |
| 致谢 | 第111页 |