| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·场发射简介 | 第10-15页 |
| ·场发射介绍 | 第10-12页 |
| ·金属场发射 | 第12页 |
| ·半导体场发射 | 第12-13页 |
| ·场发射 Fowler-Nordheim 方程 | 第13-15页 |
| ·铝镓氮概述 | 第15-18页 |
| ·铝镓氮晶体结构 | 第15-16页 |
| ·铝镓氮的性质 | 第16-17页 |
| ·铝镓氮场发射性能研究现状 | 第17-18页 |
| ·本文的研究目的及研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 薄膜样品的制备表征及场发射测试方法 | 第19-27页 |
| ·薄膜制备及表面处理方法 | 第19-23页 |
| ·磁控溅射 | 第19-20页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第20-22页 |
| ·MW-ECR-CVD | 第22-23页 |
| ·薄膜样品的结构表征及性能测试 | 第23-26页 |
| ·薄膜的厚度测量 | 第23-24页 |
| ·薄膜的结构及成分分析 | 第24页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第24-25页 |
| ·样品的场发射性能测试 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 非晶GaN薄膜的制备及厚度对其场发射性能的影响 | 第27-39页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·薄膜样品制备及表征 | 第27-30页 |
| ·场发射性能测试及分析 | 第30-34页 |
| ·薄膜厚度对场发射性能影响的理论分析 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 非晶AlN薄膜的制备及表面处理对其场发射性能的影响 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·薄膜样品制备及表面处理 | 第39-41页 |
| ·场发射性能测试及分析 | 第41-42页 |
| ·表面处理对场发射性能的影响机制 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 结构调制对AlxGa1-xN薄膜场发射性能的影响 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·厚度调制的AlN/GaN薄膜的制备及其场发射性能 | 第46-50页 |
| ·复合铝镓氮薄膜制备及成分调制对其场发射性能的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
