| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| ·扫描电子显微镜的原理与发展历程 | 第12-14页 |
| ·扫描电子显微镜的原理 | 第12-13页 |
| ·扫描电子显微镜的发展历程 | 第13-14页 |
| ·电子与固体的相互作用 | 第14-20页 |
| ·电子与固体相互作用概述 | 第14-16页 |
| ·二次电子产生的理论发展 | 第16-20页 |
| ·二次电子相关的实验现象 | 第20-28页 |
| ·二次电子的掺杂衬度 | 第22-23页 |
| ·二次电子的自旋极化 | 第23-28页 |
| 第2章 电子散射理论及Monte Carlo模拟的实现 | 第28-54页 |
| ·电子固体相互作用的Monte Carlo模拟概述 | 第28-29页 |
| ·弹性散射的理论描述 | 第29-32页 |
| ·非弹性散射的理论描述 | 第32-41页 |
| ·Full Penn方法 | 第34-35页 |
| ·单极近似 | 第35-36页 |
| ·能量损失函数的比较 | 第36-37页 |
| ·非弹性平均自由程及阻止本领 | 第37-41页 |
| ·二次电子级联的处理 | 第41-42页 |
| ·电子从固体表面的出射 | 第42-43页 |
| ·Monte Carlo模拟的具体步骤 | 第43-48页 |
| ·三维复杂结构的构建及修正 | 第48-52页 |
| ·实体结构几何法 | 第49页 |
| ·有限元三角形网格法 | 第49-50页 |
| ·引入三维构件的相关修正 | 第50-52页 |
| ·并行化Monte Carlo模拟的实现 | 第52-54页 |
| 第3章 SEM中二次电子产额和能谱的模拟 | 第54-70页 |
| ·二次电子产额的相关实验和理论 | 第54-57页 |
| ·二次电子产额及能谱的模拟 | 第57-63页 |
| ·二次电子产额与角度的关系 | 第63-64页 |
| ·二次电子的出射分布 | 第64-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第4章 分辨率测量方法中所使用的二次电子图像的模拟 | 第70-86页 |
| ·二次电子图像的分辨率测量方法 | 第70-71页 |
| ·Au/C体系的模拟图像 | 第71-78页 |
| ·模拟图像由衬度梯度法得到的分辨率与间隔法的比较 | 第78-82页 |
| ·复杂样品结构的产生及模拟 | 第82-84页 |
| ·小结 | 第84-86页 |
| 第5章 半导体掺杂衬度的模拟 | 第86-94页 |
| ·半导体材料掺杂衬度的产生机理 | 第86-90页 |
| ·Monte Carlo模拟的结果及讨论 | 第90-91页 |
| ·小结 | 第91-94页 |
| 第6章 二次电子自旋极化的模拟 | 第94-102页 |
| ·二次电子自旋极化的相关理论 | 第94-97页 |
| ·Monte Carlo模拟中自旋相关的修正 | 第97-99页 |
| ·模拟结果与实验的对比 | 第99-101页 |
| ·小结 | 第101-102页 |
| 第7章 二次电子符合实验的模拟 | 第102-108页 |
| ·二次电子产生的符合实验 | 第102-103页 |
| ·反射式符合实验的Monte Carlo模拟 | 第103-107页 |
| ·小结 | 第107-108页 |
| 第8章 总结 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第126-128页 |
