| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 1. 绪论 | 第11-19页 |
| ·透明导电氧化物薄膜种类及特点 | 第11-15页 |
| ·氧化锌基透明导电氧化物薄膜 | 第11-13页 |
| ·氧化锡基透明导电氧化物薄膜 | 第13-14页 |
| ·氧化镉基透明导电氧化物薄膜 | 第14-15页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的特性及应用 | 第15-16页 |
| ·本文的目的、意义以及主要研究内容 | 第16-19页 |
| 2. 透明导电氧化物薄膜的制备方法及原理 | 第19-32页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的制备工艺 | 第19-24页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第19-20页 |
| ·磁控溅射法（magnetron sputtering） | 第20-21页 |
| ·分子束外延法（MBE） | 第21页 |
| ·真空蒸发镀膜法（VRE） | 第21-22页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第22-23页 |
| ·溶胶-凝胶法（sol-gel） | 第23-24页 |
| ·溅射镀膜的基本原理和特点 | 第24-27页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射的应用 | 第27页 |
| ·磁控溅射设备简述 | 第27-30页 |
| ·真空系统 | 第28-29页 |
| ·电源 | 第29页 |
| ·镀膜系统 | 第29-30页 |
| ·样品的制备 | 第30-32页 |
| ·靶材制备 | 第30-31页 |
| ·衬底的清洗 | 第31页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第31-32页 |
| 3. 薄膜的表征方法 | 第32-40页 |
| ·薄膜的结构测试—X 射线衍射分析（XRD） | 第32-33页 |
| ·薄膜的表面形貌和成分测试 | 第33-36页 |
| ·透射电子显微镜（TEM）和(EDAX) | 第33-35页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第35-36页 |
| ·薄膜厚度的测试—台阶仪 | 第36-37页 |
| ·薄膜的电学性能的测试—霍尔效应测试仪 | 第37-38页 |
| ·薄膜的光学性能的测试—紫外线-可见光光度计 | 第38-40页 |
| 4. 单一透明导电薄膜的性能研究 | 第40-48页 |
| ·单一氧化物薄膜表面形貌的分析 | 第40-44页 |
| ·ZnO：Zn 透明导电薄膜 | 第44-48页 |
| 5. 三元透明导电薄膜的性能研究 | 第48-63页 |
| ·ZnSnO_3及Zn_2SnO_4薄膜结构及性能的 | 第48-55页 |
| ·ZnSnO_3及Zn_2SnO_4薄膜表面形貌的 | 第48-51页 |
| ·ZnSnO_3及Zn_2SnO_4薄膜XRD | 第51-52页 |
| ·ZnSnO_3及Zn_2SnO_4薄膜光学性能的 | 第52-54页 |
| ·ZnSnO_3及Zn_2SnO_4薄膜电学性能的 | 第54-55页 |
| ·CdSnO_3及Cd_2SnO_4薄膜性能的研 | 第55-63页 |
| ·CdSnO_3及Cd_2SnO_4薄膜表面形貌的分 | 第55-58页 |
| ·CdSnO_3及Cd_2SnO_4薄膜XRD 分 | 第58-59页 |
| ·CdSnO_3及Cd_2SnO_4薄膜光学性能的分 | 第59-60页 |
| ·CdSnO_3及Cd_2SnO_4薄膜电学性能的分 | 第60-63页 |
| 6.ZnSnO_3 和Cd_2SnO_4 薄膜的正交试验 | 第63-77页 |
| ·沉积工艺对ZnSnO_3 和Cd_2SnO_4 新生相薄膜结构 | 第65-70页 |
| ·沉积工艺对ZnSnO_3 和Cd_2SnO_4 新生相薄膜电学性能 | 第70-73页 |
| ·沉积工艺对ZnSnO_3 和Cd_2SnO_4 新生相薄膜光学性能 | 第73-76页 |
| ·最佳工艺选择 | 第76-77页 |
| 7. 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第88页 |
