| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| ·太赫兹辐射的主要特点 | 第10-11页 |
| ·太赫兹辐射源的主要分类 | 第11-23页 |
| ·基于光整流效应的THz辐射源 | 第12-13页 |
| ·基于差频效应的THz辐射 | 第13-15页 |
| ·TPO或TPG产生THz辐射 | 第15-16页 |
| ·THz光电导天线 | 第16-18页 |
| ·光学Cherenkov辐射THz辐射源 | 第18页 |
| ·半导体量子级联THz辐射源 | 第18-19页 |
| ·其他新型光学THz辐射源 | 第19-20页 |
| ·真空电子类THz源 | 第20-23页 |
| ·太赫兹探测技术的发展 | 第23-25页 |
| ·太赫兹技术的应用 | 第25-29页 |
| ·太赫兹光子学国际发展现状 | 第29-32页 |
| ·太赫兹光子学国内发展现状 | 第32-34页 |
| ·本文的主要内容 | 第34-36页 |
| 第二章 GaAs晶体的光学性质 | 第36-66页 |
| ·GaAs晶体的生长方法 | 第37-39页 |
| ·液封直拉法(LEC) | 第37-38页 |
| ·水平布里支曼法(HB) | 第38页 |
| ·垂直梯度凝固法和垂直布里支曼法(VGF/VB) | 第38页 |
| ·蒸汽压控制直拉法(VCZ) | 第38-39页 |
| ·GaAs晶体的晶格结构及基本理化性质 | 第39-41页 |
| ·GaAs晶体的基本光学性质 | 第41-42页 |
| ·GaAs晶体的二阶非线性光学性质 | 第42-44页 |
| ·GaAs晶体的双光子吸收 | 第44-48页 |
| ·GaAs晶体双光子吸收基本原理 | 第44-47页 |
| ·GaAs晶体双光子吸收引起的非线性色散 | 第47-48页 |
| ·GaAs晶体的自聚焦效应 | 第48-52页 |
| ·GaAs晶体的受激拉曼散射效应 | 第52-65页 |
| ·GaAs晶体的受激拉曼散射效应基本原理 | 第52-60页 |
| ·受激拉曼过程的几个重要参数 | 第60-65页 |
| 本章小结 | 第65-66页 |
| 第三章 闪光灯泵浦内腔双谐振KTP光学参量振荡器 | 第66-83页 |
| ·IDOPO的耦合波方程 | 第66-71页 |
| ·内腔双谐振光学参量振荡的数值模拟 | 第71-73页 |
| ·KTP晶体的相位匹配分析 | 第73-75页 |
| ·近简并点双谐振内腔光学参量振荡器的实验 | 第75-81页 |
| ·实验装置 | 第75-77页 |
| ·实验结果及分析 | 第77-81页 |
| 本章小结 | 第81-83页 |
| 第四章 基于受激拉曼散射效应的GaAs晶体THz辐射源 | 第83-100页 |
| ·受激拉曼散射原理 | 第84-94页 |
| ·受激拉曼散射过程的耦合波方程 | 第85-87页 |
| ·THz受激拉曼散射过程的耦合波方程 | 第87-91页 |
| ·受激拉曼增益系数及泵浦光阈值 | 第91-92页 |
| ·GaAs晶体的相位匹配条件 | 第92-94页 |
| ·基于GaAs晶体的受激拉曼效应产生窄带THz辐射的实验 | 第94-99页 |
| ·实验条件 | 第94-96页 |
| ·实验结果及分析 | 第96-99页 |
| 本章小结 | 第99-100页 |
| 第五章 利用菲涅尔相位匹配GaAs晶体实现宽调谐THz探测 | 第100-126页 |
| ·菲涅尔相位匹配基本理论 | 第101-108页 |
| ·共振非涅尔相位匹配的数值模拟 | 第103-105页 |
| ·非共振非涅尔相位匹配的数值模拟 | 第105-108页 |
| ·影响转换效率的主要因素 | 第108-123页 |
| ·Goos-Hanchen延迟 | 第108-112页 |
| ·晶体抛光精度 | 第112-115页 |
| ·允许角宽度 | 第115-117页 |
| ·有效非线性系数 | 第117-118页 |
| ·晶体的吸收 | 第118-123页 |
| ·利用角度调谐在菲涅尔相位匹配GaAs晶体中实现可调谐THz探测的实验设想 | 第123-124页 |
| 本章小结 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-147页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第147-148页 |
| 致谢 | 第148页 |
