| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| ·本论文的研究意义及相关背景 | 第10-19页 |
| ·本论文的研究内容 | 第19-21页 |
| 2 光子晶体LED的理论研究 | 第21-34页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·理论计算方法-时域有限差分法 | 第21-29页 |
| ·新型的掩埋光子晶体LED的研究 | 第29-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 3 LED及光子晶体制备工艺 | 第34-58页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·LED MOCVD生长及测试分析手段介绍 | 第34-47页 |
| ·光子晶体制作工艺 | 第47-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 4 量子阱白光LED理论分析及实验研究 | 第58-89页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·一些量子阱结构的理论计算 | 第59-70页 |
| ·有源区量子阱结构参数、生长参数的研究及确定 | 第70-74页 |
| ·绿光量子阱的生长 | 第74-78页 |
| ·白光LED的性能参数 | 第78-80页 |
| ·采用应变缓冲层的长波长LED的实验研究 | 第80-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 5 分布布拉格反射LED原理及工艺研究 | 第89-104页 |
| ·引言 | 第89页 |
| ·半导体AlGaN/GaN DBR的生长 | 第89-97页 |
| ·绿光DBR LED | 第97-100页 |
| ·基于AlGaN/GaN DBR的多量子阱白光LED | 第100-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 6 完全禁带平板光子晶体及其在LED中的应用 | 第104-134页 |
| ·引言 | 第104页 |
| ·光子晶体的理论分析方法 | 第104-109页 |
| ·二维光子晶体的能带结构计算 | 第109-111页 |
| ·实际的2.5维光子晶体:二维平面波展开法计算 | 第111-128页 |
| ·2.5维光子晶体设计-三维FDTD法计算 | 第128-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| 7 全文总结 | 第134-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 参考文献 | 第139-150页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第150页 |