| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-11页 |
| 1.2 Fe_3Si研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 Fe_3Si的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.3.1 Fe_3Si的结构 | 第15页 |
| 1.3.2 Fe_3Si的性质 | 第15-16页 |
| 1.4 目前存在的问题和本文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 样品的制备和表征 | 第18-28页 |
| 2.1 JGP-560C型高真空多靶磁控溅射仪 | 第18-19页 |
| 2.2 高真空退火炉 | 第19-21页 |
| 2.3 X射线衍射仪 | 第21-23页 |
| 2.4 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.5 表面形貌测量仪(台阶仪) | 第24页 |
| 2.6 振动样品磁强计 | 第24-26页 |
| 2.7 四探针测试仪 | 第26页 |
| 2.8 电容电压特性测试仪 | 第26-28页 |
| 第三章 Fe_3Si/MgO/Si多层膜制备 | 第28-32页 |
| 3.1 台阶测试 | 第28页 |
| 3.2 实验方案 | 第28-29页 |
| 3.3 样品制备 | 第29-32页 |
| 3.3.1 基片的清洗 | 第29-30页 |
| 3.3.2 溅射 | 第30-31页 |
| 3.3.3 热处理 | 第31页 |
| 3.3.4 表征方法 | 第31-32页 |
| 第四章 测量结果与分析 | 第32-76页 |
| 4.1 样品上铁硅薄膜的XRD表征结果 | 第32-58页 |
| 4.1.1 退火温度为600℃样品的XRD分析 | 第32-36页 |
| 4.1.2 退火温度为650℃样品的XRD分析 | 第36-40页 |
| 4.1.3 退火温度为700℃样品的XRD分析 | 第40-43页 |
| 4.1.4 退火温度为750℃样品的XRD分析 | 第43-47页 |
| 4.1.5 退火温度为800℃样品的XRD分析 | 第47-51页 |
| 4.1.6 退火温度为850℃样品的XRD分析 | 第51-54页 |
| 4.1.7 退火温度为900℃样品的XRD分析 | 第54-58页 |
| 4.2 样品上铁硅薄膜的SEM表征分析 | 第58-70页 |
| 4.2.1 退火温度650℃,Fe/Si膜厚比为3:1的各MgO层厚度样品的SEM分析 | 第59-62页 |
| 4.2.2 退火温度750℃,MgO层厚度为200nm的各Fe/Si膜厚比样品的SEM分析 | 第62-65页 |
| 4.2.3 退火温度800℃,MgO层厚度为100nm的各Fe/Si膜厚比样品的SEM分析 | 第65-68页 |
| 4.2.4 退火温度800℃,MgO层厚度为150nm的各Fe/Si膜厚比样品的SEM分析 | 第68-70页 |
| 4.3 样品中Fe_3Si薄膜的电阻率测试结果 | 第70-72页 |
| 4.4 Fe_3Si薄膜的样品C-V特性测试 | 第72页 |
| 4.5 Fe_3Si薄膜的磁性 | 第72-76页 |
| 第五章 总结 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 附录 | 第83-84页 |
