| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 研究意义 | 第7-8页 |
| 1.2 Mg_2Si的基本性质 | 第8-11页 |
| 1.2.1 Mg_2Si的晶体结构 | 第8-9页 |
| 1.2.2 Mg_2Si的能带结构 | 第9页 |
| 1.2.3 Mg_2Si的物理性质 | 第9-11页 |
| 1.3 Mg_2Si的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 制备与表征方法 | 第14-20页 |
| 2.1 制备Mg_2Si薄膜所需材料 | 第14页 |
| 2.2 制备Mg_2Si薄膜所需设备 | 第14-16页 |
| 2.3 表征Mg_2Si薄膜所需设备 | 第16-19页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第16-17页 |
| 2.3.2 扫描电镜 | 第17页 |
| 2.3.3 四探针测试仪 | 第17-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 不同制备条件对溅射单层Si、Mg制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第20-37页 |
| 3.1 Mg_2Si薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 3.1.1 衬底及靶材的清洗 | 第20-22页 |
| 3.1.2 磁控溅射沉积 | 第22页 |
| 3.1.3 原位退火 | 第22页 |
| 3.2 退火温度对原位退火制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第22-27页 |
| 3.2.1 退火温度对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第23-25页 |
| 3.2.2 退火温度对Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第25-26页 |
| 3.2.3 退火温度对Mg_2Si方块电阻的影响 | 第26-27页 |
| 3.3 退火时间对原位退火制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第27-31页 |
| 3.3.1 退火时间对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第27-29页 |
| 3.3.2 退火时间对Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.3 退火时间对Mg_2Si方块电阻的影响 | 第30-31页 |
| 3.4 交换溅射顺序探索制备工艺 | 第31-36页 |
| 3.4.1 衬底清洗 | 第32页 |
| 3.4.2 Mg/Si薄膜样品制备及退火 | 第32-33页 |
| 3.4.3 Mg膜厚度对交换溅射顺序制备Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第33-34页 |
| 3.4.4 Mg膜厚度对交换溅射顺序制备Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 不同制备条件对溅射多层Si、Mg制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第37-54页 |
| 4.1 退火温度对溅射两层Si、Mg制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第37-42页 |
| 4.1.1 衬底清洗 | 第37页 |
| 4.1.2 磁控溅射沉积 | 第37-38页 |
| 4.1.3 原位退火 | 第38-39页 |
| 4.1.4 退火温度对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第39-40页 |
| 4.1.5 退火温度对Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| 4.1.6 结论 | 第42页 |
| 4.2 溅射两层不同厚度Si、Mg对制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第42-45页 |
| 4.2.1 衬底清洗 | 第42页 |
| 4.2.2 磁控溅射沉积 | 第42页 |
| 4.2.3 原位退火 | 第42-43页 |
| 4.2.4 双层膜溅射厚度对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.5 双层膜溅射厚度对Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第44-45页 |
| 4.2.6 结论 | 第45页 |
| 4.3 退火温度对溅射三层Si、Mg制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第45-50页 |
| 4.3.1 衬底清洗 | 第46页 |
| 4.3.2 磁控溅射沉积 | 第46-47页 |
| 4.3.3 原位退火 | 第47页 |
| 4.3.4 退火温度对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第47-48页 |
| 4.3.5 退火温度对Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 溅射三层不同厚度Si、Mg对制备Mg_2Si薄膜的影响 | 第50-53页 |
| 4.4.1 衬底清洗 | 第50页 |
| 4.4.2 磁控溅射沉积 | 第50页 |
| 4.4.3 原位退火 | 第50-51页 |
| 4.4.4 三层膜溅射厚度对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第51-52页 |
| 4.4.5 三层膜溅射厚度对Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录 | 第60-61页 |
