| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO及ZnO基LED器件 | 第12-13页 |
| 1.2.1 ZnO基本性质 | 第12页 |
| 1.2.2 ZnO基LED器件 | 第12-13页 |
| 1.3 拉曼光谱在半导体测试中的应用 | 第13-16页 |
| 1.3.1 电学性能 | 第13-14页 |
| 1.3.2 其他性能 | 第14-16页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 拉曼光谱基本原理 | 第18-26页 |
| 2.1 声子 | 第18页 |
| 2.2 拉曼散射 | 第18-21页 |
| 2.2.1 拉曼效应 | 第18-19页 |
| 2.2.2 拉曼位移 | 第19-20页 |
| 2.2.3 拉曼散射截面 | 第20页 |
| 2.2.4 拉曼张量与选择定则 | 第20-21页 |
| 2.3 共振拉曼散射 | 第21-22页 |
| 2.4 等离子体激元-纵光学声子的相互作用 | 第22-24页 |
| 2.5 ZnO的拉曼光谱 | 第24-26页 |
| 第三章 样品制备与表征 | 第26-29页 |
| 3.1 分子束外延技术 | 第26-27页 |
| 3.2 样品生长过程 | 第27页 |
| 3.3 样品表征手段 | 第27-29页 |
| 第四章 ZnO薄膜载流子浓度的拉曼散射研究 | 第29-45页 |
| 4.1 前言 | 第29页 |
| 4.2 ZnO薄膜的外延生长 | 第29-30页 |
| 4.3 外延ZnO薄膜的结构性能表征 | 第30-32页 |
| 4.3.1 表面形貌 | 第30页 |
| 4.3.2 晶体质量 | 第30-32页 |
| 4.4 可见光激发下的ZnO拉曼光谱 | 第32-34页 |
| 4.4.1 研究样品 | 第32-33页 |
| 4.4.2 实验结果 | 第33-34页 |
| 4.5 紫外光激发下的ZnO拉曼光谱 | 第34-43页 |
| 4.5.1 实验结果 | 第34-35页 |
| 4.5.2 1LO模行为的成因分析 | 第35-41页 |
| 4.5.3 基于2LO模的载流子提取研究 | 第41-43页 |
| 4.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 ZnO基LED器件扩展层载流子浓度的拉曼散射研究 | 第45-55页 |
| 5.1 前言 | 第45页 |
| 5.2 研究对象 | 第45-47页 |
| 5.3 扩展层载流子浓度对器件发光性能的影响 | 第47-49页 |
| 5.3.1 APSYS软件介绍 | 第47页 |
| 5.3.2 LED器件模拟 | 第47-49页 |
| 5.4 扩展层载流子浓度的拉曼探测研究 | 第49-53页 |
| 5.4.1 空穴扩展层 | 第49-51页 |
| 5.4.2 电子扩展层 | 第51-53页 |
| 5.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 全文总结 | 第55-56页 |
| 6.2 本文亮点 | 第56页 |
| 6.3 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 作者个人简历 | 第67-68页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第68页 |