| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 等离子体电解氧化技术简介 | 第11-13页 |
| 1.2 几类标志性的等离子体电解氧化膜材料 | 第13-20页 |
| 1.2.1 氧化铝(Al_2O_3) | 第13-16页 |
| 1.2.2 二氧化钛(TiO_2) | 第16-19页 |
| 1.2.3 氧化钨(WO_(3-x)) | 第19-20页 |
| 1.3 等离子体电解氧化膜在表面强化领域的应用 | 第20-26页 |
| 1.3.1 金属表面强化的意义 | 第20-21页 |
| 1.3.2 等离子体电解氧化膜表面强化的特点 | 第21-24页 |
| 1.3.3 等离子体电解氧化膜在金属表面强化领域的研究进展 | 第24-26页 |
| 1.4 等离子体电解氧化技术在光催化领域的研究现状 | 第26-29页 |
| 1.5 等离子体电解氧化膜形成机理的研究现状 | 第29-35页 |
| 1.6 本文研究的内容及意义 | 第35-37页 |
| 第2章 实验原理与方法 | 第37-49页 |
| 2.1 等离子体电解氧化工艺装置及工艺流程 | 第37-38页 |
| 2.2 扫描电子显微镜及共聚焦离子束系统 | 第38-40页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜简介 | 第38页 |
| 2.2.2 聚焦离子束系统简介 | 第38-40页 |
| 2.3 球差校正透射电子显微学材料结构研究方法 | 第40-46页 |
| 2.3.1 透射电子显微镜 | 第40-41页 |
| 2.3.2 球差校正透射电子显微镜 | 第41-42页 |
| 2.3.3 选区电子衍射及纳米束衍射 | 第42-43页 |
| 2.3.4 基于电子衍射的径向分布函数研究方法 | 第43-45页 |
| 2.3.5 元素化学信息分析及成像技术 | 第45-46页 |
| 2.4 氧化膜表面物性的表征技术 | 第46-47页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪(XRD) | 第46-47页 |
| 2.4.2 X射线光电子能谱(XPS)测量 | 第47页 |
| 2.4.3 紫外-可见光吸收光谱 | 第47页 |
| 2.5 等离子体电解氧化膜性能测试 | 第47-49页 |
| 2.5.1 电化学腐蚀极化曲线 | 第47-48页 |
| 2.5.2 光催化降解甲基橙 | 第48-49页 |
| 第3章 铝等离子体电解氧化膜的生长机理 | 第49-73页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 铝等离子体电解氧化膜的制备过程 | 第49-50页 |
| 3.3 铝等离子体电解氧化膜的稳态生长过程 | 第50-58页 |
| 3.3.1 等离子体电解氧化膜截面的形貌 | 第50-53页 |
| 3.3.2 等离子体电解氧化膜的离子迁移机制 | 第53-56页 |
| 3.3.3 等离子体电解氧化膜的元素迁移 | 第56-58页 |
| 3.4 铝等离子体电解氧化膜的成膜过程 | 第58-71页 |
| 3.4.1 等离子体电解氧化膜的成膜过程的电学特征 | 第59-60页 |
| 3.4.2 等离子体电解氧化形成过程中阶段I的膜结构 | 第60-62页 |
| 3.4.3 等离子体电解氧化形成过程中击穿阶段的结构特征 | 第62-64页 |
| 3.4.4 等离子体电解氧化形成过程中阶段II→III的结构特征 | 第64-67页 |
| 3.4.5 等离子体电解氧化形成过程中三个阶段的生长机制 | 第67-71页 |
| 3.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 第4章 等离子体电解氧化过程中电解质元素的沉积与迁移 | 第73-93页 |
| 4.1 引言 | 第73-75页 |
| 4.2 镁等离子体电解氧化过程中的自修复行为 | 第75-86页 |
| 4.2.1 镁等离子体电解氧化膜的制备过程 | 第75页 |
| 4.2.2 镁等离子体电解氧化膜的击穿与自修复现象 | 第75-79页 |
| 4.2.3 孔道修复物的组成和结构特征 | 第79-84页 |
| 4.2.4 等离子体电解氧化过程中的自修复机制 | 第84-86页 |
| 4.3 电解质元素的阳极沉积与向内迁移 | 第86-91页 |
| 4.3.1 硅酸根离子在非晶氧化铝表面的沉积 | 第86-87页 |
| 4.3.2 硅酸根离子在多晶氧化镁内的迁移 | 第87-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 第5章 TiO_2/WO_(3-x)等离子体电解氧化膜的光催化活性 | 第93-107页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 钛等离子体电解氧化的非晶氧化钛膜 | 第93-96页 |
| 5.2.1 钛等离子体电解氧化膜的制备 | 第93-94页 |
| 5.2.2 钛等离子体电解氧化膜的形貌特征 | 第94-96页 |
| 5.3 钛等离子体电解氧化膜的光催化活性 | 第96-102页 |
| 5.3.1 钛等离子体电解氧化膜光催化性能 | 第96-98页 |
| 5.3.2 钛等离子体电解氧化膜的表面活性 | 第98-102页 |
| 5.4 钛等离子体电解氧化膜的形成机理 | 第102-106页 |
| 5.5 本章小结 | 第106-107页 |
| 第6章 超长WO2.72单晶微米棒的形核及生长机理 | 第107-121页 |
| 6.1 引言 | 第107-109页 |
| 6.2 单斜的WO2.72超长单晶微米棒的制备及形态特征 | 第109-111页 |
| 6.3 WO2.72单晶微米棒的形核与生长 | 第111-119页 |
| 6.3.1 WO2.72的形核点透射电镜研究 | 第111-113页 |
| 6.3.2 WO2.72由纳米线→微米束→单晶微米棒的演变过程 | 第113-117页 |
| 6.3.3 WO2.72超长单晶微米棒的生长机制 | 第117-119页 |
| 6.4 本章小结 | 第119-121页 |
| 结论和展望 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-137页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
