中文摘要 | 第4-8页 |
abstract | 第8-12页 |
第一章 前言 | 第16-42页 |
§1.1 引言 | 第16页 |
§1.2 压致变色材料 | 第16-34页 |
§1.2.1 聚合物类压致荧光变色材料 | 第16-19页 |
§1.2.2 四苯乙烯类压致荧光变色材料 | 第19-21页 |
§1.2.3 乙烯基蒽类压致荧光变色材料 | 第21-24页 |
§1.2.4 氰基苯乙烯类压致荧光变色材料 | 第24-29页 |
§1.2.5 金属配合物类压致荧光变色材料 | 第29-30页 |
§1.2.6 有机硼配合物类压致荧光变色材料 | 第30-33页 |
§1.2.7 席夫碱类压致荧光变色材料 | 第33-34页 |
§1.3 立题思想 | 第34-36页 |
参考文献 | 第36-42页 |
第二章 β-亚氨酮二氟化硼配合物的压致荧光变色性质研究 | 第42-70页 |
§2.1 引言 | 第42-43页 |
§2.2 配合物的合成 | 第43-47页 |
§2.2.1 X-射线单晶衍射数据处理 | 第46-47页 |
§2.3 结果与讨论 | 第47-63页 |
§2.3.1 合成与表征 | 第47-48页 |
§2.3.2 光物理性质 | 第48-52页 |
§2.3.3 电化学性质 | 第52-53页 |
§2.3.4 密度泛函理论计算 | 第53-54页 |
§2.3.5 聚集诱导发光性质 | 第54-55页 |
§2.3.6 压致荧光变色性质 | 第55-63页 |
§2.4 小结 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-70页 |
第三章 咔唑修饰的β-亚氨酮二氟化硼配合物的合成及压致荧光变色性质研究 | 第70-84页 |
§3.1 前言 | 第70页 |
§3.2 化合物的合成 | 第70-72页 |
§3.3 结果与讨论 | 第72-77页 |
§3.3.1 合成与表征 | 第72-73页 |
§3.3.2 光物理性质 | 第73-74页 |
§3.3.3 密度泛函理论计算 | 第74-75页 |
§3.3.4 聚集诱导发光性质 | 第75-76页 |
§3.3.5 压致荧光变色性质 | 第76-77页 |
§3.4 小结 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-84页 |
第四章 氰基乙烯基苯并噻唑衍生物的合成及压致荧光变色性质研究 | 第84-116页 |
§4.1 引言 | 第84页 |
§4.2 化合物的合成 | 第84-89页 |
§4.2.1 X-射线单晶衍射数据处理 | 第88-89页 |
§4.3 结果与讨论 | 第89-108页 |
§4.3.1 合成与表征 | 第89页 |
§4.3.2 光物理性质 | 第89-94页 |
§4.3.3 密度泛函理论计算 | 第94页 |
§4.3.4 聚集诱导发光性质 | 第94-95页 |
§4.3.5 压致荧光变色性质 | 第95-101页 |
§4.3.6 对酸的荧光传感性质 | 第101-108页 |
§4.4 小结 | 第108-110页 |
参考文献 | 第110-116页 |
第五章 含有三苯胺的乙烯基或氰基乙烯基稠杂环化合物的合成及压致荧光变色性质研究 | 第116-142页 |
§5.1 前言 | 第116-117页 |
§5.2 化合物的合成 | 第117-122页 |
§5.2.1 X-射线单晶衍射数据处理 | 第121-122页 |
§5.3 结果与讨论 | 第122-135页 |
§5.3.1 合成与表征 | 第122页 |
§5.3.2 光物理性质 | 第122-127页 |
§5.3.3 密度泛函理论计算 | 第127-128页 |
§5.3.4 压致荧光变色性质 | 第128-135页 |
§5.4 小结 | 第135-137页 |
参考文献 | 第137-142页 |
第六章 芳基乙烯基喹喔啉衍生物的合成、酸致变色及压致荧光变色性质研究 | 第142-174页 |
§6.1 引言 | 第142页 |
§6.2 化合物的合成 | 第142-147页 |
§6.2.1X-射线单晶衍射数据处理 | 第146-147页 |
§6.3 结果与讨论 | 第147-170页 |
§6.3.1 合成与表征 | 第147页 |
§6.3.2 光物理性质 | 第147-153页 |
§6.3.3 密度泛函理论计算 | 第153-155页 |
§6.3.4 压致荧光变色性质 | 第155-160页 |
§6.3.5 对酸的荧光传感性质 | 第160-170页 |
§6.4 小结 | 第170-171页 |
参考文献 | 第171-174页 |
附录 | 第174-218页 |
附录一 | 第174-216页 |
附录二 | 第216-218页 |
作者简历及在读期间的研究成果 | 第218-220页 |
致谢 | 第220页 |