| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-20页 |
| ·薄膜技术的应用 | 第8页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理及其装置 | 第8-10页 |
| ·射频磁控溅射基本原理 | 第8-9页 |
| ·实验装置 | 第9-10页 |
| ·高压电学的研究 | 第10-17页 |
| ·高压电学的研究现状 | 第10页 |
| ·高压电学原位测量的进展 | 第10-11页 |
| ·高压电学研究的测量方法 | 第11-17页 |
| ·直流van der Pauw法 | 第11页 |
| ·交流阻抗谱法 | 第11-17页 |
| ·直流测量与交流测量的相互关系 | 第17页 |
| ·论文选题及主要意义 | 第17-20页 |
| 第二章 电极集成以及高压电学测量的测量方法 | 第20-30页 |
| ·直流法测量材料的电阻率 | 第20-25页 |
| ·测量电路在金刚石对顶砧上的集成 | 第20-25页 |
| ·电极的制备 | 第20-22页 |
| ·氧化铝保护层、绝缘层的制备 | 第22-23页 |
| ·图形化得电极制作过程 | 第23-25页 |
| ·直流法测量仪器的选择 | 第25页 |
| ·交流法测量材料的电阻率 | 第25-28页 |
| ·交流测量电路在金刚石对顶砧上的集成 | 第26-28页 |
| ·两点法电极的制备构想 | 第26页 |
| ·两点法电极的制备过程 | 第26-28页 |
| ·交流阻抗谱测量仪器的选择 | 第28页 |
| ·交流阻抗谱装置的校对 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第三章 高压下ZnX（X＝S，Se，Te）的电学性质 | 第30-46页 |
| ·ZnX（X＝S，Se，Te）的高压研究背景 | 第30-31页 |
| ·ZnX（X＝S，Se，Te）的高压电学研究意义 | 第31页 |
| ·ZnS的高压电学测量结果 | 第31-39页 |
| ·体材料的的高压电学测量结果 | 第31-33页 |
| ·纳米材料的的高压电学测量结果 | 第33-39页 |
| ·ZnSe的高压电学测量结果 | 第39-42页 |
| ·ZnSe的直流高压电学测量结果 | 第39-40页 |
| ·ZnSe的交流阻抗谱测量结果 | 第40-42页 |
| ·ZnTe的高压电学测量结果 | 第42-44页 |
| ·ZnTe的直流高压电学测量结果 | 第42-43页 |
| ·ZnTe 的交流阻抗谱测量结果 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 第四章 TiO_2高压电学性质的研究 | 第46-60页 |
| ·TiO_2的研究背景 | 第46页 |
| ·金红石相TiO_2交流阻抗谱的测量结果 | 第46-51页 |
| ·锐钛矿相TiO_2交流阻抗谱的测量结果 | 第51-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 攻读博士期间发表的文章 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 作者简历 | 第77-78页 |
| 中文摘要 | 第78-81页 |
| Abstract | 第81-83页 |