摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-8页 |
第一章 前言 | 第12-27页 |
1.1 半导体光催化 | 第12-14页 |
1.1.1 太阳能转化为化学能 | 第12-13页 |
1.1.2 光降解净化环境 | 第13-14页 |
1.2 半导体光催化原理 | 第14-16页 |
1.3 能带结构对光催化性能的影响 | 第16-18页 |
1.4 能带弯曲理论 | 第18-20页 |
1.5 Ag/AgX(X=Cl,Br,I)光催化剂 | 第20-25页 |
1.6 论文的选题依据和主要研究内容 | 第25-27页 |
第二章 理论基础和计算方法 | 第27-36页 |
2.1 密度泛函理论 | 第27-31页 |
2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第27-28页 |
2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
2.1.3 交换相关函数 | 第29-30页 |
2.1.4 平面波基组和赝势方法 | 第30-31页 |
2.1.5 自旋极化和自旋非极化计算 | 第31页 |
2.2 能带计算 | 第31-35页 |
2.2.1 能带结构 | 第32页 |
2.2.2 能态密度 | 第32-33页 |
2.2.3 吸收光谱 | 第33-34页 |
2.2.4 氧化还原能力 | 第34页 |
2.2.5 反应自由能 | 第34-35页 |
2.3 主要的研究方法和技术路线 | 第35-36页 |
2.3.1 主要的研究方法 | 第35页 |
2.3.2 技术路线 | 第35-36页 |
第三章 晶面和银团簇修饰对溴化银光催化性能的影响 | 第36-96页 |
3.1 引言 | 第36页 |
3.2 计算方法 | 第36-38页 |
3.3 计算结果与讨论 | 第38-94页 |
3.3.1 晶面对光吸收和催化性能的影响 | 第38-53页 |
3.3.2 Agn/AgBr(110) (n=2-6)光催化性能的研究 | 第53-73页 |
3.3.3 Agn/AgBr(110) (n=7-13)光催化性能的研究 | 第73-94页 |
3.4 本章小结 | 第94-96页 |
第四章 金银合金团簇修饰对溴化银电子性质和吸收光谱的影响 | 第96-116页 |
4.1 引言 | 第96-97页 |
4.2 计算方法 | 第97页 |
4.3 计算结果与讨论 | 第97-115页 |
4.3.1 几何结构 | 第97-101页 |
4.3.2 电子性质 | 第101-110页 |
4.3.3 吸收光谱 | 第110-111页 |
4.3.4 光催化性能 | 第111-115页 |
4.4 本章小结 | 第115-116页 |
第五章 多元卤素掺杂对复合溴化银电子性质和氧化还原能力的影响 | 第116-132页 |
5.1 引言 | 第116页 |
5.2 计算方法 | 第116-117页 |
5.3 结果与讨论 | 第117-131页 |
5.3.1 多元卤素协同效应对复合溴化银能带结构的调控 | 第117-122页 |
5.3.2 晶面对电子性质和氧化还原能力的影响 | 第122-131页 |
5.4 本章小结 | 第131-132页 |
结论 | 第132-134页 |
参考文献 | 第134-152页 |
攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第152-154页 |
致谢 | 第154-155页 |
作者简介 | 第155页 |