| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第13-32页 |
| 1.1 均孔膜 | 第13-14页 |
| 1.2 用于均孔膜制备的嵌段共聚物的分子设计及合成方法 | 第14-26页 |
| 1.2.1 均孔膜的制备方法 | 第14页 |
| 1.2.2 嵌段共聚物自组装概述 | 第14-15页 |
| 1.2.3 嵌段共聚物的分子结构与均孔膜孔径的关系 | 第15-18页 |
| 1.2.4 膜制备方法对嵌段共聚物分子结构的要求 | 第18-26页 |
| 1.2.4.1 选择性去除 | 第18-23页 |
| 1.2.4.2 非溶剂诱导相分离 | 第23-24页 |
| 1.2.4.3 选择性溶胀致孔 | 第24-26页 |
| 1.2.5 采用嵌段聚合物制备均孔膜小结 | 第26页 |
| 1.3 液晶分子( Liquid Crystalline Molecules, LCM) | 第26-27页 |
| 1.4 液晶分子的典型应用及结构设计 | 第27-29页 |
| 1.5 课题的提出 | 第29-30页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 基于两亲性液晶单体3,4,5-三((11-(丙烯酰氧基)十一烷基)氧基)苯甲酸的设计与合成 | 第32-58页 |
| 2.1 前言 | 第32-33页 |
| 2.2 实验部分 | 第33-41页 |
| 2.2.1 实验仪器 | 第33-35页 |
| 2.2.2 实验中采用的主要试剂 | 第35-36页 |
| 2.2.3 合成 | 第36-40页 |
| 2.2.3.1 中间体的制备 | 第36-39页 |
| 2.2.3.2 液晶单体的合成 | 第39-40页 |
| 2.2.4 成膜过程的探索 | 第40-41页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第41-56页 |
| 2.3.1 中间体制备和液晶单体合成的优化 | 第41-42页 |
| 2.3.1.1 催化剂对合成中间体2-1反应的影响 | 第41-42页 |
| 2.3.1.2 反应时间对合成中间体2-1反应的影响 | 第42页 |
| 2.3.2 化合物的分析及表征 | 第42-45页 |
| 2.3.3 热力学性质 | 第45-51页 |
| 2.3.3.1 目标产物的DSC测试 | 第45-46页 |
| 2.3.3.2 添加三氟甲磺酸锂对TM1-1液晶性能的影响 | 第46-48页 |
| 2.3.3.3 添加三氟甲磺酸锂对TM1-2液晶性能的影响 | 第48-49页 |
| 2.3.3.4 添加三氟甲磺酸锂对TM1-4液晶性能的影响 | 第49-51页 |
| 2.3.4 成膜过程条件的优化 | 第51-54页 |
| 2.3.4.1 液晶分子溶度对成膜过程的影响 | 第51-52页 |
| 2.3.4.2 光引发剂添加量对成膜过程的影响 | 第52页 |
| 2.3.4.3 PDMS弹性体垫对抑制结晶的影响 | 第52-53页 |
| 2.3.4.4 重物质量对抑制结晶的影响 | 第53页 |
| 2.3.4.5 紫外辐照时间和辐照距离的影响 | 第53页 |
| 2.3.4.6 液晶分子聚合条件的影响 | 第53-54页 |
| 2.3.5 场发射扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第54-56页 |
| 2.3.6 红外光谱分析 | 第56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第三章 基于两亲性液晶单体3,4,5-三(11-丙烯酰基十一烷基-1-羟基苄氧基)苯甲酸的设计与合成 | 第58-72页 |
| 3.1 前言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验部分 | 第59-64页 |
| 3.2.1 实验仪器 | 第59-60页 |
| 3.2.2 实验中采用的主要试剂 | 第60-61页 |
| 3.2.3 合成 | 第61-64页 |
| 3.2.3.1 中间体的制备 | 第61-63页 |
| 3.2.3.2 液晶单体的合成 | 第63-64页 |
| 3.2.4 成膜过程的探索 | 第64页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第64-70页 |
| 3.3.1 液晶单体TM2合成的优化 | 第64-65页 |
| 3.3.1.1 溶剂对合成TM2反应的影响 | 第64页 |
| 3.3.1.2 阻聚剂添加量对合成TM2反应的影响 | 第64-65页 |
| 3.3.2 化合物的分析及表征 | 第65-68页 |
| 3.3.3 热力学性质 | 第68页 |
| 3.3.4 场发射扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第68-69页 |
| 3.3.5 红外光谱分析 | 第69-70页 |
| 3.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 4.1 结论 | 第72-73页 |
| 4.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 附录 | 第84-87页 |
