| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目次 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·钴及其氧化物应用 | 第11-15页 |
| ·钴的应用 | 第11-12页 |
| ·钴氧化物的应用 | 第12-15页 |
| ·钴氧化物薄膜的研究现状 | 第15-19页 |
| ·钴氧化物薄膜的制备方法 | 第19-23页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第19-20页 |
| ·喷雾热解法 | 第20-21页 |
| ·磁控溅射法 | 第21页 |
| ·热蒸发法 | 第21-22页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第22-23页 |
| ·钴氧化物薄膜的PLD制备及性能研究的意义 | 第23-25页 |
| 第2章 钴氧化物薄膜的基本性质及研究方法 | 第25-39页 |
| ·钴氧化物薄膜的基本性质 | 第25-30页 |
| ·钴的基本性质 | 第25页 |
| ·钴氧化物的物理化学性质 | 第25-27页 |
| ·钴氧化物的磁学性能 | 第27-30页 |
| ·钴氧化物薄膜的研究方法 | 第30-38页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31-32页 |
| ·X射线电子能谱(XPS) | 第32-35页 |
| ·紫外可见(UV-VIS)光谱 | 第35-37页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 钴氧化物薄膜的脉冲激光沉积方法 | 第39-53页 |
| ·脉冲激光沉积概述 | 第39-41页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第41-46页 |
| ·烧蚀物的传输 | 第44-45页 |
| ·烧蚀粒子在衬底上的沉积 | 第45-46页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第46-50页 |
| ·激光器 | 第46-47页 |
| ·光学系统 | 第47-49页 |
| ·生长室系统 | 第49页 |
| ·抽气系统 | 第49-50页 |
| ·供气系统 | 第50页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第50-51页 |
| ·靶材 | 第50页 |
| ·清洗 | 第50页 |
| ·薄膜制备 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 钴氧化物薄膜的PLD法制备工艺研究 | 第53-67页 |
| ·衬底温度对制备钴氧化物薄膜的影响 | 第53-59页 |
| ·改变衬底温度制备钴氧化物薄膜的实验方案 | 第53页 |
| ·衬底温度对钴氧化物薄膜结晶性能的影响 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对钴氧化物薄膜表面形貌的影响 | 第55-58页 |
| ·钴氧化物薄膜中元素成分分析 | 第58-59页 |
| ·沉积时间对制备钴氧化物薄膜的影响 | 第59-62页 |
| ·改变沉积时间制备钴氧化物薄膜的实验方案 | 第59-60页 |
| ·薄膜厚度对钴氧化物薄膜结晶性能的影响 | 第60-62页 |
| ·氧气流量对制备钴氧化物薄膜的影响 | 第62-67页 |
| ·改变氧气流量制备钴氧化物薄膜的实验方案 | 第62-63页 |
| ·氧气流量对钴氧化物薄膜结晶性能的影响 | 第63-65页 |
| ·氧气流量对钴氧化物薄膜表面形貌的影响 | 第65-67页 |
| 第5章 钴氧化物薄膜光学和电学性能研究 | 第67-79页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·钴氧化物薄膜的光学性能 | 第68-76页 |
| ·钴氧化物薄膜折射率与厚度的确定 | 第68-72页 |
| ·钴氧化物薄膜的透射率和吸收系数 | 第72-74页 |
| ·钴氧化物薄膜的带隙类型和光学禁带宽度 | 第74-76页 |
| ·钴氧化物薄膜的电学性能 | 第76-79页 |
| ·Si/CoO/Cu及Si/Co_3O_4/Cu结构的击穿电压 | 第76-79页 |
| 第6章 全文总结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 攻读硕士期间发表论文清单 | 第87页 |