| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 半导体核辐射探测器材料 | 第9-10页 |
| 1.1.1 室温核辐射探测器材料研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2 性能优异的PbI_2晶体 | 第10-12页 |
| 1.2.1 PbI_2晶体用途 | 第10-11页 |
| 1.2.2 PbI_2晶体结构及其主要性质 | 第11-12页 |
| 1.3 区域提纯法的诞生 | 第12-15页 |
| 1.4 晶体生长方法 | 第15-16页 |
| 1.5 PbI_2单晶体生长方法 | 第16-22页 |
| 1.5.1 气相法生长PbI_2单晶体 | 第16-17页 |
| 1.5.2 熔体法生长PbI_2单晶体 | 第17-22页 |
| 1.6 熔体法生长PbI_2单晶体存在的问题 | 第22-25页 |
| 1.6.1 熔体分层 | 第22-24页 |
| 1.6.2 PbI_2的分解与包裹体 | 第24-25页 |
| 1.7 本论文选题意义及研究内容 | 第25-27页 |
| 1.7.1 选题意义 | 第25-26页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第26页 |
| 1.7.3 研究的技术路线 | 第26-27页 |
| 2 PbI_2单晶体的熔体法生长分析 | 第27-39页 |
| 2.1 综晶化合物熔体分层过程 | 第28页 |
| 2.2 第二相液滴与固-液界面的相互作用 | 第28-29页 |
| 2.3 去析出方法分析 | 第29-30页 |
| 2.4 晶体化学配比控制 | 第30-31页 |
| 2.5 排除凝并长大的液滴 | 第31页 |
| 2.6 熔体法生长PbI_2单晶体的工艺设计 | 第31-32页 |
| 2.6.1 PbI_2熔体的的凝固方式 | 第31-32页 |
| 2.6.2 PbI_2单晶体的化学配比控制 | 第32页 |
| 2.6.3 PbI_2多晶原料的化学配比控制 | 第32页 |
| 2.7 PbI_2晶体生长的新方法 | 第32-39页 |
| 2.7.1 制备符合化学配比的PbI_2多晶原料——熔体静置-快冷法 | 第32-34页 |
| 2.7.2 垂直布里奇曼法预生长PbI_2单晶体 | 第34-36页 |
| 2.7.3 上置籽晶垂直区域熔炼法生长PbI_2晶体 | 第36-39页 |
| 3 PbI_2晶体生长实验 | 第39-53页 |
| 3.1 PbI_2多晶合成 | 第39-42页 |
| 3.1.1 合成坩埚的清洗 | 第39页 |
| 3.1.2 合成炉的设计 | 第39-40页 |
| 3.1.3 原料配制 | 第40-41页 |
| 3.1.4 PbI_2多晶的合成 | 第41页 |
| 3.1.5 多晶原料合成结果 | 第41-42页 |
| 3.2 PbI_2原料的静置实验 | 第42-45页 |
| 3.2.1 测定富碘的PbI_2原料中的I_2含量 | 第42-43页 |
| 3.2.2 测定富铅的PbI_2原料中的I_2含量 | 第43-45页 |
| 3.3 垂直布里奇曼法预生长PbI_2单晶体 | 第45-49页 |
| 3.3.1 晶体生长设备 | 第45-46页 |
| 3.3.2 温场设计 | 第46-47页 |
| 3.3.3 生长安瓿下降速度及降温冷却 | 第47-48页 |
| 3.3.4 晶体生长工艺 | 第48-49页 |
| 3.4 垂直区域熔炼法生长PbI_2单晶体 | 第49-53页 |
| 3.4.1 实验装置的设计 | 第49页 |
| 3.4.2 温场的设计 | 第49-50页 |
| 3.4.3 垂直区域熔炼实验 | 第50-53页 |
| 4 实验结果与分析 | 第53-62页 |
| 4.1 晶体生长结果 | 第53-55页 |
| 4.1.1 垂直布里奇曼法预生长的PbI_2单晶体 | 第53页 |
| 4.1.2 垂直区域熔炼法生长的PbI_2单晶体 | 第53-55页 |
| 4.2 扫描电镜(SEM)及其能谱(EDX)分析 | 第55-58页 |
| 4.3 I-V特性测试分析 | 第58-60页 |
| 4.4 红外透过率 | 第60-62页 |
| 5 结论 | 第62-63页 |
| 6 工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
