| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 1. 绪论 | 第11-31页 |
| ·光电阴极发展概述 | 第11-13页 |
| ·国内外GaAs光电阴极性能对比 | 第13-16页 |
| ·国外GaAs光电阴极性能现状 | 第13-15页 |
| ·国内GaAs光电阴极性能现状 | 第15-16页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极研究现状 | 第16-29页 |
| ·变掺杂结构的作用机理 | 第16-18页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极材料外延生长方法 | 第18-20页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极实验研究现状 | 第20-25页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极理论研究现状 | 第25-27页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极的性能评估 | 第27-28页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极发展面临的问题 | 第28-29页 |
| ·本文研究背景及意义 | 第29-30页 |
| ·本文主要工作 | 第30-31页 |
| 2. 变掺杂GaAs光电阴极的光电特性研究 | 第31-54页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极的光谱吸收系数 | 第32-34页 |
| ·指数掺杂结构对GaAs光电阴极电子扩散漂移长度的影响 | 第34-39页 |
| ·指数掺杂结构及内建电场 | 第35-36页 |
| ·指数掺杂阴极的电子扩散漂移长度 | 第36-39页 |
| ·指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的等效求解 | 第39-41页 |
| ·反射式指数掺杂阴极的理论量子效率公式 | 第39-40页 |
| ·反射式指数掺杂阴极量子效率等效公式 | 第40页 |
| ·仿真与分析 | 第40-41页 |
| ·变掺杂结构对GaAs光电阴极光电性能的影响机理 | 第41-53页 |
| ·变掺杂和均匀掺杂阴极的光谱灵敏度比较 | 第41页 |
| ·GaAs光电阴极表面的电子能量分布 | 第41-45页 |
| ·电子隧穿表面势垒的几率 | 第45-48页 |
| ·发射电子数模拟计算与分析 | 第48-52页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极光电性能提高的内在机理 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 3. 变掺杂GaAs光电阴极制备实验研究 | 第54-77页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极实验系统介绍 | 第55-62页 |
| ·超高真空激活系统 | 第55-57页 |
| ·多信息量测试系统 | 第57-62页 |
| ·反射式变掺杂GaAs光电阴极激活实验 | 第62-66页 |
| ·样品结构 | 第62-63页 |
| ·样品激活 | 第63-65页 |
| ·结果分析 | 第65-66页 |
| ·透射式变掺杂GaAs光电阴极制备实验 | 第66-71页 |
| ·透射式GaAs光电阴极的工艺过程 | 第66-67页 |
| ·实验 | 第67-69页 |
| ·结果 | 第69-71页 |
| ·讨论 | 第71页 |
| ·系统真空度对MBE GaAs光电阴极激活效果的影响 | 第71-76页 |
| ·实验结果 | 第72-74页 |
| ·讨论 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 4. 变掺杂NEA GaAs光电阴极评估技术研究 | 第77-101页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·激活时Cs在GaAs光电阴极表面的吸附效率评估 | 第78-84页 |
| ·实验现象 | 第79-80页 |
| ·理论分析与建模 | 第80-82页 |
| ·讨论 | 第82-84页 |
| ·透射式GaAs光电阴极NEA表面势垒参数评估 | 第84-91页 |
| ·利用激活光电流评估表面势垒参数 | 第84-88页 |
| ·高、低温激活后阴极表面势垒参数的变化 | 第88-91页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极的结构性能评估 | 第91-99页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极的量子效率模型 | 第91-95页 |
| ·变掺杂GaAs光电阴极结构性能的评估方法 | 第95-96页 |
| ·不同变掺杂GaAs光电阴极的结构性能对比 | 第96-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 5. 结束语 | 第101-105页 |
| ·本文工作总结 | 第101-103页 |
| ·本文创新点 | 第103页 |
| ·有待进一步解决的问题 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-120页 |
| 附录 | 第120-121页 |