| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 红外探测器 | 第9-15页 |
| 1.1.1 红外探测器发展现状 | 第9-10页 |
| 1.1.2 红外探测器分类 | 第10-12页 |
| 1.1.3 光伏探测器基本原理 | 第12-15页 |
| 1.2 InSb红外探测器 | 第15-21页 |
| 1.2.1 InSb红外探测材料 | 第16-18页 |
| 1.2.2 中波红外InSb探测器发展 | 第18-20页 |
| 1.2.3 InSb探测器制作工艺 | 第20-21页 |
| 1.3 磨拋工艺国内外现状与进展 | 第21页 |
| 1.4 论文研究的意义、立项背景和内容安排 | 第21-24页 |
| 1.4.1 论文研究的意义和背景 | 第21-22页 |
| 1.4.2 论文的主要内容 | 第22-24页 |
| 第2章 InSb芯片表面处理工艺 | 第24-30页 |
| 2.1 磨拋工艺种类 | 第24-26页 |
| 2.2 CMP磨拋 | 第26页 |
| 2.3 工艺设备 | 第26-28页 |
| 2.3.1 传统双轴磨抛机 | 第26-27页 |
| 2.3.2 精密研磨抛光机系统 | 第27-28页 |
| 2.4 背减薄工艺 | 第28-29页 |
| 2.5 芯片表面特性表征 | 第29-30页 |
| 第3章 单元InSb探测器磨抛工艺研究 | 第30-56页 |
| 3.1 InSb材料磨拋要求和难度 | 第30-31页 |
| 3.2 InSb材料磨拋工艺工艺流程 | 第31-34页 |
| 3.2.1 InSb材料倒边 | 第32页 |
| 3.2.2 InSb材料粘片与清洗 | 第32页 |
| 3.2.3 InSb材料锑面粗磨 | 第32-33页 |
| 3.2.4 InSb材料锑面粗抛 | 第33页 |
| 3.2.5 InSb材料铟面粗磨 | 第33-34页 |
| 3.2.6 InSb材料铟面粗抛 | 第34页 |
| 3.2.7 InSb材料铟面精抛 | 第34页 |
| 3.2.8 湿法处理 | 第34页 |
| 3.3 锑面磨抛研究 | 第34-37页 |
| 3.3.1 粗磨中磨料配比对InSb材料减薄速率和InSb材料TTV的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.2 粗抛中压力对InSb材料减薄速率和InSb材料TTV的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 铟面磨抛研究 | 第37-40页 |
| 3.4.1 粗磨中压力对InSb材料减薄速率和InSb材料TTV的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.2 粗抛中转速对InSb材料减薄速率和InSb材料TTV的影响 | 第39-40页 |
| 3.5 InSb材料铟面精抛 | 第40-47页 |
| 3.5.1 转速的影响 | 第42-43页 |
| 3.5.2 压力的影响 | 第43-44页 |
| 3.5.3 滴液速度的影响 | 第44-45页 |
| 3.5.4 抛料配比的影响 | 第45页 |
| 3.5.5 加入氧化剂的实验 | 第45-47页 |
| 3.6 表面腐蚀工艺 | 第47-48页 |
| 3.7 不同湿法处理后的原子力显微镜图及X射线双晶衍射损伤分析 | 第48-54页 |
| 3.8 芯片性能测试分析 | 第54-56页 |
| 第4章 InSb焦平面探测器芯片背减薄处理工艺 | 第56-66页 |
| 4.1 InSb芯片背减薄要求和难度 | 第56页 |
| 4.2 传统InSb芯片背减薄工艺流程 | 第56-57页 |
| 4.3 背减薄工艺 | 第57-64页 |
| 4.3.1 传统机械减薄 | 第57-58页 |
| 4.3.2 磁流变工艺减薄 | 第58页 |
| 4.3.3 化学腐蚀减薄 | 第58-62页 |
| 4.3.4 化学机械相结合的背减薄方法 | 第62-64页 |
| 4.4 焦平面探测器成像测试 | 第64-66页 |
| 第5章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 论文总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第72页 |
