| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-35页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 纳米焊膏的研究现状及应用 | 第15-28页 |
| 1.2.1 纳米焊膏低温烧结研究 | 第15-19页 |
| 1.2.2 纳米焊膏烧结后接头性能的研究 | 第19-23页 |
| 1.2.3 纳米焊膏与基板烧结连接的研究 | 第23-28页 |
| 1.3 纳米薄膜的制备方法及在电子封装中的应用 | 第28-33页 |
| 1.3.1 纳米薄膜的制备方法 | 第28-31页 |
| 1.3.2 纳米薄膜在电子封装中的应用 | 第31-33页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第33-35页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第35-45页 |
| 2.1 实验材料及试剂 | 第35-36页 |
| 2.2 材料制备方法及主要设备 | 第36-40页 |
| 2.2.1 Ni薄膜制备方法 | 第36-38页 |
| 2.2.2 纳米银制备方法 | 第38-39页 |
| 2.2.3 材料制备中的主要设备 | 第39-40页 |
| 2.3 纳米银与Ni薄膜的烧结工艺 | 第40-41页 |
| 2.4 分析表征与性能测试方法 | 第41-45页 |
| 2.4.1 镀液的电化学测试 | 第41-42页 |
| 2.4.2 差热-热重分析 | 第42页 |
| 2.4.3 物相分析 | 第42页 |
| 2.4.4 扫描电镜分析 | 第42-43页 |
| 2.4.5 原子力显微镜分析 | 第43页 |
| 2.4.6 透射电镜分析 | 第43页 |
| 2.4.7 剪切实验设备及测试方法 | 第43-45页 |
| 第3章 Ni/Au纳米锥阵列薄膜及纳米银的制备 | 第45-68页 |
| 3.1 制备Ni纳米锥阵列薄膜的电沉积条件 | 第45-49页 |
| 3.1.1 影响电沉积的条件及选择 | 第45-47页 |
| 3.1.2 电沉积条件的确定 | 第47-49页 |
| 3.2 电沉积参数对Ni纳米锥阵列薄膜形貌和粒径的影响 | 第49-58页 |
| 3.2.1 电流密度和电沉积时间对Ni纳米锥阵列薄膜形貌和粒径影响 | 第50-54页 |
| 3.2.2 添加剂浓度对Ni纳米锥阵列薄膜形貌和粒径的影响 | 第54-58页 |
| 3.3 添加剂对Ni纳米锥阵列薄膜沉积过程的影响 | 第58-64页 |
| 3.3.1 Ni纳米锥的晶体结构 | 第58页 |
| 3.3.2 金属离子电沉积的基本历程 | 第58-60页 |
| 3.3.3 不同浓度添加剂对Ni纳米锥阵列薄膜晶体结构的影响 | 第60-61页 |
| 3.3.4 电沉积中添加剂的电化学行为 | 第61-64页 |
| 3.4 纳米银的制备及其形貌和热重表征 | 第64-67页 |
| 3.4.1 纳米银的制备 | 第64页 |
| 3.4.2 纳米银的形貌 | 第64-66页 |
| 3.4.3 纳米银的热重分析 | 第66-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银的烧结连接 | 第68-92页 |
| 4.1 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜的对比 | 第68-71页 |
| 4.1.1 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜的表面形貌对比 | 第68-70页 |
| 4.1.2 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜的结构对比 | 第70-71页 |
| 4.2 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜与纳米银的烧结结果对比 | 第71-83页 |
| 4.2.1 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜与纳米银的烧结界面 | 第71-76页 |
| 4.2.2 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜与纳米银烧结后所得接头剪切强度 | 第76-80页 |
| 4.2.3 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜与纳米银烧结后的断口分析 | 第80-83页 |
| 4.3 Ni/Au纳米锥阵列薄膜和FlatNi/Au薄膜与纳米银的烧结过程分析 | 第83-91页 |
| 4.3.1 纳米银的低温烧结 | 第84-86页 |
| 4.3.2 纳米银与FlatNi/Au薄膜的烧结过程 | 第86-88页 |
| 4.3.3 纳米银与Ni/Au纳米锥阵列薄膜的烧结过程 | 第88-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第5章 Ni/Au纳米锥阵列薄膜粒径对其与纳米银烧结连接的影响 | 第92-125页 |
| 5.1 Ni和Ni/Au纳米锥阵列薄膜表面形貌及粒径统计 | 第92-96页 |
| 5.2 与纳米银烧结连接的Ni/Au纳米锥阵列薄膜的最佳粒径 | 第96-107页 |
| 5.2.1 不同粒径Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银烧结后的界面形貌 | 第96-98页 |
| 5.2.2 不同粒径Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银烧结后的界面元素分析. | 第98-102页 |
| 5.2.3 不同粒径Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银烧结后所得接头剪切强度 | 第102-103页 |
| 5.2.4 不同粒径Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银烧结后的断口分析 | 第103-107页 |
| 5.3 Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银的烧结连接机理 | 第107-123页 |
| 5.3.1 Ni/Au纳米锥阵列薄膜对烧结连接的促进作用 | 第107-110页 |
| 5.3.2 Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银的兼容烧结 | 第110-114页 |
| 5.3.3 Ni/Au纳米锥阵列薄膜与纳米银烧结中的扩散连接机理 | 第114-118页 |
| 5.3.4 Ni/Au纳米锥阵列薄膜存在最佳粒径的机理分析 | 第118-123页 |
| 5.4 本章小结 | 第123-125页 |
| 结论 | 第125-127页 |
| 创新点 | 第127页 |
| 展望 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-140页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其他成果 | 第140-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
| 个人简历 | 第143页 |
