摘要 | 第6-9页 |
abstract | 第9-12页 |
第1章 绪论 | 第16-45页 |
1.1 引言 | 第16-17页 |
1.2 化学机械抛光中的材料去除问题 | 第17-26页 |
1.2.1 化学机械抛光技术概述 | 第17-19页 |
1.2.2 化学机械抛光材料去除机理及模型 | 第19-23页 |
1.2.3 单晶硅化学机械抛光中的材料去除研究进展 | 第23-26页 |
1.3 单晶硅的微观材料去除机理研究进展 | 第26-40页 |
1.3.1 单晶硅的微观材料机械去除 | 第27-33页 |
1.3.2 单晶硅的机械化学微观材料去除 | 第33-40页 |
1.4 选题意义及内容 | 第40-45页 |
1.4.1 选题意义 | 第40-41页 |
1.4.2 研究方案和内容 | 第41-45页 |
第2章 实验材料和研究方法 | 第45-59页 |
2.1 实验材料 | 第45-47页 |
2.2 实验设备和方法 | 第47-52页 |
2.2.1 实验设备 | 第47-49页 |
2.2.2 材料去除实验方法 | 第49-50页 |
2.2.3 基于AFM的加载方法 | 第50-52页 |
2.3 实验环境控制及数据处理 | 第52-58页 |
2.3.1 气氛实验环境的控制 | 第52-53页 |
2.3.2 液下实验环境的控制 | 第53-54页 |
2.3.3 黏着力的测量 | 第54-55页 |
2.3.4 摩擦力的测量 | 第55-56页 |
2.3.5 微观形貌及结构的表征 | 第56-58页 |
2.4 本章小结 | 第58-59页 |
第3章 纯机械和纯化学作用下的单晶硅微观材料去除 | 第59-73页 |
3.1 纯机械作用条件下单晶硅的微观材料去除 | 第60-64页 |
3.1.1 真空环境下单晶硅的微观材料去除(二氧化硅探针对磨副) | 第60-62页 |
3.1.2 真空环境下单晶硅的微观材料去除(金刚石探针对磨副) | 第62-64页 |
3.2 纯化学作用下单晶硅的微观材料去除 | 第64-71页 |
3.2.1 以自然氧化层为掩膜的单晶硅化学腐蚀材料去除方法 | 第65-67页 |
3.2.2 不同pH的KOH溶液中单晶硅化学腐蚀材料去除 | 第67-68页 |
3.2.3 单晶硅材料化学腐蚀去除实验的重复性验证 | 第68-71页 |
3.3 本章小结 | 第71-73页 |
第4章 化学作用因素对单晶硅机械化学去除的影响 | 第73-99页 |
4.1 不同相对湿度大气环境对单晶硅微观材料去除的影响 | 第75-77页 |
4.2 环境水分对单晶硅/二氧化硅配副黏着力及摩擦耗散能的影响 | 第77-79页 |
4.2.1 不同相对湿度大气环境中黏着力的变化规律 | 第77-78页 |
4.2.2 不同相对湿度大气环境中摩擦耗散能的变化规律 | 第78-79页 |
4.3 水分对单晶硅机械化学微观材料去除的影响机制 | 第79-86页 |
4.3.1 单晶硅的机械化学微观材料去除机理 | 第79-83页 |
4.3.2 环境水分对单晶硅机械化学微观材料去除的影响机制 | 第83-86页 |
4.4 KOH溶液中单晶硅的微观材料去除 | 第86-91页 |
4.5 溶液浸泡时间对单晶硅微观材料去除的影响 | 第91-97页 |
4.5.1 纯水中浸泡时间对单晶硅微观材料去除的影响 | 第91-94页 |
4.5.2 KOH溶液中浸泡时间对单晶硅微观材料去除的影响 | 第94-97页 |
4.6 本章小结 | 第97-99页 |
第5章 机械作用参数对单晶硅机械化学去除的影响 | 第99-121页 |
5.1 接触压力对单晶硅微观材料去除的影响 | 第100-105页 |
5.1.1 不同接触压力下单晶硅的微观材料去除 | 第100-103页 |
5.1.2 单晶硅微观材料去除随接触压力变化的分析 | 第103-105页 |
5.2 滑动速度对单晶硅微观材料去除的影响 | 第105-107页 |
5.3 滑动循环次数对单晶硅微观材料去除的影响 | 第107-109页 |
5.4 纯水中三种机械作用的分析及对比 | 第109-112页 |
5.5 KOH溶液中不同载荷对单晶硅微观材料去除的影响 | 第112-114页 |
5.6 KOH溶液浸泡后不同循环次数下单晶硅的微观材料去除 | 第114-116页 |
5.7 单晶硅微观材料去除中的机械化学耦合作用机制 | 第116-119页 |
5.8 本章小结 | 第119-121页 |
结论与展望 | 第121-126页 |
致谢 | 第126-128页 |
参考文献 | 第128-143页 |
攻读博士学位期间发表的论文及科研成果 | 第143-145页 |