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单晶硅机械化学耦合去除机理研究

摘要第6-9页
abstract第9-12页
第1章 绪论第16-45页
    1.1 引言第16-17页
    1.2 化学机械抛光中的材料去除问题第17-26页
        1.2.1 化学机械抛光技术概述第17-19页
        1.2.2 化学机械抛光材料去除机理及模型第19-23页
        1.2.3 单晶硅化学机械抛光中的材料去除研究进展第23-26页
    1.3 单晶硅的微观材料去除机理研究进展第26-40页
        1.3.1 单晶硅的微观材料机械去除第27-33页
        1.3.2 单晶硅的机械化学微观材料去除第33-40页
    1.4 选题意义及内容第40-45页
        1.4.1 选题意义第40-41页
        1.4.2 研究方案和内容第41-45页
第2章 实验材料和研究方法第45-59页
    2.1 实验材料第45-47页
    2.2 实验设备和方法第47-52页
        2.2.1 实验设备第47-49页
        2.2.2 材料去除实验方法第49-50页
        2.2.3 基于AFM的加载方法第50-52页
    2.3 实验环境控制及数据处理第52-58页
        2.3.1 气氛实验环境的控制第52-53页
        2.3.2 液下实验环境的控制第53-54页
        2.3.3 黏着力的测量第54-55页
        2.3.4 摩擦力的测量第55-56页
        2.3.5 微观形貌及结构的表征第56-58页
    2.4 本章小结第58-59页
第3章 纯机械和纯化学作用下的单晶硅微观材料去除第59-73页
    3.1 纯机械作用条件下单晶硅的微观材料去除第60-64页
        3.1.1 真空环境下单晶硅的微观材料去除(二氧化硅探针对磨副)第60-62页
        3.1.2 真空环境下单晶硅的微观材料去除(金刚石探针对磨副)第62-64页
    3.2 纯化学作用下单晶硅的微观材料去除第64-71页
        3.2.1 以自然氧化层为掩膜的单晶硅化学腐蚀材料去除方法第65-67页
        3.2.2 不同pH的KOH溶液中单晶硅化学腐蚀材料去除第67-68页
        3.2.3 单晶硅材料化学腐蚀去除实验的重复性验证第68-71页
    3.3 本章小结第71-73页
第4章 化学作用因素对单晶硅机械化学去除的影响第73-99页
    4.1 不同相对湿度大气环境对单晶硅微观材料去除的影响第75-77页
    4.2 环境水分对单晶硅/二氧化硅配副黏着力及摩擦耗散能的影响第77-79页
        4.2.1 不同相对湿度大气环境中黏着力的变化规律第77-78页
        4.2.2 不同相对湿度大气环境中摩擦耗散能的变化规律第78-79页
    4.3 水分对单晶硅机械化学微观材料去除的影响机制第79-86页
        4.3.1 单晶硅的机械化学微观材料去除机理第79-83页
        4.3.2 环境水分对单晶硅机械化学微观材料去除的影响机制第83-86页
    4.4 KOH溶液中单晶硅的微观材料去除第86-91页
    4.5 溶液浸泡时间对单晶硅微观材料去除的影响第91-97页
        4.5.1 纯水中浸泡时间对单晶硅微观材料去除的影响第91-94页
        4.5.2 KOH溶液中浸泡时间对单晶硅微观材料去除的影响第94-97页
    4.6 本章小结第97-99页
第5章 机械作用参数对单晶硅机械化学去除的影响第99-121页
    5.1 接触压力对单晶硅微观材料去除的影响第100-105页
        5.1.1 不同接触压力下单晶硅的微观材料去除第100-103页
        5.1.2 单晶硅微观材料去除随接触压力变化的分析第103-105页
    5.2 滑动速度对单晶硅微观材料去除的影响第105-107页
    5.3 滑动循环次数对单晶硅微观材料去除的影响第107-109页
    5.4 纯水中三种机械作用的分析及对比第109-112页
    5.5 KOH溶液中不同载荷对单晶硅微观材料去除的影响第112-114页
    5.6 KOH溶液浸泡后不同循环次数下单晶硅的微观材料去除第114-116页
    5.7 单晶硅微观材料去除中的机械化学耦合作用机制第116-119页
    5.8 本章小结第119-121页
结论与展望第121-126页
致谢第126-128页
参考文献第128-143页
攻读博士学位期间发表的论文及科研成果第143-145页

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