| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-33页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第17-18页 |
| 1.2 空间辐照环境 | 第18-20页 |
| 1.3 抗辐照P沟道VDMOS器件发展现状 | 第20-30页 |
| 1.4 本论文研究内容及安排 | 第30-33页 |
| 第二章 P沟道VDMOS抗辐照工艺开发 | 第33-53页 |
| 2.1 P沟道VDMOS结构分析 | 第33-35页 |
| 2.2 普通VDMOS工艺流程 | 第35-39页 |
| 2.3 VDMOS器件的总剂量效应损伤机制 | 第39-42页 |
| 2.3.1 辐照的损伤机理 | 第39-41页 |
| 2.3.2 总剂量对VDMOS的影响 | 第41-42页 |
| 2.4 抗辐照P沟道VDMOS器件工艺开发 | 第42-51页 |
| 2.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 P沟道VDMOS器件元胞设计 | 第53-81页 |
| 3.1 导通电阻 | 第53-59页 |
| 3.2 元胞击穿电压 | 第59-63页 |
| 3.3 其他重要性能参数 | 第63-71页 |
| 3.3.1 阈值电压 | 第63-65页 |
| 3.3.2 静态输出特性 | 第65-66页 |
| 3.3.3 寄生电容模型 | 第66-69页 |
| 3.3.4 栅电荷模型 | 第69-71页 |
| 3.4 P沟道VDMOS元胞横向参数设计 | 第71-73页 |
| 3.5 P沟道VDMOS元胞纵向参数设计 | 第73-75页 |
| 3.6 元胞参数优化 | 第75-80页 |
| 3.7 本章小结 | 第80-81页 |
| 第四章 新型场限环及抗辐照复合耐压终端 | 第81-109页 |
| 4.1 主结击穿电压 | 第81-85页 |
| 4.2 场限环设计 | 第85-89页 |
| 4.3 场板设计 | 第89-91页 |
| 4.4 复合耐压终端 | 第91-92页 |
| 4.5 新型高压场限环 | 第92-97页 |
| 4.6 新型P沟道VDMOS抗辐照复合终端结构设计与仿真 | 第97-107页 |
| 4.7 本章小结 | 第107-109页 |
| 第五章 抗辐照大功率P沟道VDMOS器件版图及样品测试 | 第109-123页 |
| 5.1 -80V P沟道VDMOS器件版图设计 | 第109-110页 |
| 5.2 -80V P沟道VDMOS器件样品及测试 | 第110-121页 |
| 5.2.1 器件样品及封装 | 第110-113页 |
| 5.2.2 样品静态参数测试 | 第113-116页 |
| 5.2.3 动态参数测试 | 第116-121页 |
| 5.3 本章小结 | 第121-123页 |
| 第六章 P沟道VDMOS器件抗辐照性能研究 | 第123-131页 |
| 6.1 总剂量实验测试方案 | 第123-125页 |
| 6.2 实验数据及分析 | 第125-130页 |
| 6.3 本章小结 | 第130-131页 |
| 第七章 结论 | 第131-135页 |
| 7.1 研究成果总结 | 第132页 |
| 7.2 对未来工作的展望 | 第132-135页 |
| 参考文献 | 第135-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 作者简介 | 第145-146页 |