高效薄膜太阳电池中纳米硅薄膜的制备和结构研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·太阳能电池的发展及研究现状 | 第9-19页 |
| ·第一代太阳能电池 | 第10-11页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第11-13页 |
| ·第三代太阳能电池 | 第13-19页 |
| ·中国太阳电池的研究进展 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容和意义 | 第20-22页 |
| 2 实验方法与测试方法 | 第22-35页 |
| ·实验方法 | 第22-28页 |
| ·低压等离子体增强化学沉积原理 | 第22页 |
| ·ECR等离子体原理 | 第22-24页 |
| ·ECR-PECVD中低温等离子体的特点 | 第24-26页 |
| ·ECR-PECVD薄膜沉积系统 | 第26-28页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第28-35页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第28-30页 |
| ·激光拉曼光谱(RAMAN) | 第30-31页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第31-35页 |
| 3 实验设计 | 第35-43页 |
| ·样品制备 | 第35-37页 |
| ·实验材料 | 第35页 |
| ·实验步骤 | 第35-36页 |
| ·衬底及气源的选择 | 第36-37页 |
| ·工艺参数设计 | 第37页 |
| ·实验参数的探索 | 第37-43页 |
| ·SiO_2层和Si沉积速率的探索 | 第37-40页 |
| ·多层膜结构的设计 | 第40-41页 |
| ·SiN_x/Si薄膜的沉积 | 第41-42页 |
| ·刻蚀的设计 | 第42-43页 |
| 4 纳米晶硅薄膜制备工艺优化及影响因素 | 第43-52页 |
| ·H_2流量对纳米硅晶薄膜的影响 | 第43-45页 |
| ·衬底温度对薄膜的影响 | 第45-47页 |
| ·氢等离子体刻蚀的影响 | 第47-49页 |
| ·高温快速退火 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 5 纳米晶硅薄膜的结构与性能 | 第52-56页 |
| ·薄膜的Raman分析 | 第52-54页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
