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忆阻器的存储特性及其在神经网络方面的应用研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 研究工作背景第9-11页
    1.2 国内外研究现状第11-12页
    1.3 本论文的研究意义第12-13页
    1.4 本论文主要研究内容与论文层次安排第13-15页
第二章 忆阻器的基本特性与模型建立第15-23页
    2.1 忆阻器件的基本特征第15-19页
    2.2 忆阻器件的工作原理第19-20页
    2.3 忆阻器件的模型建立第20-22页
    2.4 本章小结第22-23页
第三章 神经元MOS管的介绍第23-28页
    3.1 神经元MOS管的结构特点第23-24页
    3.2 神经元MOS管的基本结构及其工作原理第24-26页
    3.3 本章小结第26-28页
第四章 神经网络的介绍第28-35页
    4.1 神经网络模型第28-29页
    4.2 神经网络基本分类第29-30页
    4.3 反馈型神经网络的介绍第30-31页
    4.4 离散型Hopfield神经网络详细介绍第31-34页
        4.4.1 离散型Hopfield神经网络结构第31-32页
        4.4.2 离散型Hopfeild神经网络的学习规则第32-33页
        4.4.3 离散型Hopfield神经网络的工作方式第33-34页
    4.5 本章小结第34-35页
第五章 可编程神经元电路的介绍第35-42页
    5.1 可编程神经元电路结构介绍第35-36页
    5.2 忆阻器特性建模以及模型相关测试第36-41页
    5.3 本章小结第41-42页
第六章 离散霍普菲尔德神经网络电路的介绍第42-71页
    6.1 离散霍普菲尔德神经网络电路结构介绍第44-47页
    6.2 离散霍普菲尔德神经网络电路仿真分析第47-61页
    6.3 搭建板级电路的设计第61-63页
    6.4 板级电路PCB设计第63-64页
    6.5 板级电路测试结果第64-70页
    6.6 本章小结第70-71页
第七章 总结与展望第71-73页
致谢第73-74页
参考文献第74-78页
攻硕期间取得的研究成果第78-79页

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