| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 SAW 器件及其发展现状 | 第9-12页 |
| 1.1.1 SAW 技术 | 第9-10页 |
| 1.1.2 SAW 滤波器结构及原理 | 第10-12页 |
| 1.2 金刚石多层膜 SAW 器件 | 第12-16页 |
| 1.2.1 金刚石多层膜 SAW 器件的提出及结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 金刚石 SAW 多层膜结构研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本文工作构思 | 第16-20页 |
| 1.3.1 “BN／diamond”多层结构的提出 | 第16-19页 |
| 1.3.2 “(ZnO/BN)n/Diamond”多层结构的提出 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 c-BN 薄膜制备及性能研究 | 第22-50页 |
| 2.1 氮化硼薄膜制备和表征 | 第22-25页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射法沉积氮化硼薄膜 | 第22-23页 |
| 2.1.2 样品性能测试表征手段 | 第23-25页 |
| 2.2 正交试验优化 c-BN 沉积工艺参数 | 第25-30页 |
| 2.3 直流偏压对样品性能的影响 | 第30-33页 |
| 2.4 衬底温度对立方氮化硼性能的影响 | 第33-37页 |
| 2.5 沉积功率对氮化硼性能的影响 | 第37-40页 |
| 2.6 退火温度对样品性能的影响 | 第40-47页 |
| 2.6.1 FTIR 分析表征 | 第40-44页 |
| 2.6.2 氮化硼薄膜的形貌分析表征（AFM 和 SEM） | 第44-47页 |
| 2.7 金刚石基底 BN 薄膜的生长研究 | 第47-49页 |
| 2.8 小结 | 第49-50页 |
| 第三章 氮化硼薄膜压电性能研究 | 第50-74页 |
| 3.1 微区压电性能测试——压电力显微镜模块（PFM） | 第50-56页 |
| 3.1.1 原子力显微镜(AFM) | 第50页 |
| 3.1.2 压电力显微镜工作原理 | 第50-55页 |
| 3.1.3 PFM 的应用 | 第55-56页 |
| 3.2 过渡层对氮化硼薄膜结构及电性能影响 | 第56-60页 |
| 3.2.1 实验部分 | 第56页 |
| 3.2.2 表面形貌和晶体结构 | 第56-58页 |
| 3.2.3 氮化硼薄膜电性能 | 第58-60页 |
| 3.3 c-BN/Cu 压电极化翻转性能研究 | 第60-67页 |
| 3.3.1 c-BN/Cu/SiO_2/Si 多层膜结构及性能 | 第61-62页 |
| 3.3.2 微区压电性能研究 | 第62-67页 |
| 3.4 c-BN/Pt/Si 结构压电性能研究 | 第67-73页 |
| 3.5 小结 | 第73-74页 |
| 第四章 高平坦化氧化锌薄膜制备及压电性能研究 | 第74-90页 |
| 4.1 高平坦化氧化锌薄膜制备 | 第74-82页 |
| 4.1.1 实验部分 | 第75-76页 |
| 4.1.2 抛光压力对抛光性能的影响 | 第76-79页 |
| 4.1.3 抛光液 pH 值对抛光性能的影响 | 第79-82页 |
| 4.2 氧化锌薄膜的压电性能研究 | 第82-89页 |
| 4.2.1 CMP 前氧化锌薄膜性能 | 第82-84页 |
| 4.2.2 CMP 后氧化锌压电性能研究 | 第84-89页 |
| 4.3 小结 | 第89-90页 |
| 第五章 ZnO/BN 叠层结构制备及压电性能研究 | 第90-106页 |
| 5.1 ZnO/BN 叠层结构制备 | 第90-91页 |
| 5.2 不同结构压电薄膜研究 | 第91-99页 |
| 5.3 ZnO/BN 叠层结构压电极化性能研究 | 第99-105页 |
| 5.4 小结 | 第105-106页 |
| 第六章 SAW 滤波器器件单元制备 | 第106-116页 |
| 6.1 镜面金刚石薄膜的制备 | 第106-108页 |
| 6.2 镜面金刚石上压电薄膜的制备 | 第108-109页 |
| 6.3 Al 叉指电极的制备 | 第109-113页 |
| 6.3.1 曝光工艺 | 第109-111页 |
| 6.3.2 Al 电极生长工艺 | 第111页 |
| 6.3.3 Lift-off 工艺 | 第111-113页 |
| 6.4 器件单元性能测试 | 第113-116页 |
| 第七章 结论与展望 | 第116-118页 |
| 7.1 结论 | 第116-117页 |
| 7.2 展望 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-127页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129页 |
