| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 MOSFET的发展及其遭遇的挑战 | 第10-12页 |
| 1.2 N型无结FinFET的介绍 | 第12-15页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 论文的内容安排 | 第16-18页 |
| 第2章 Sentaurus TCAD软件的物理模型 | 第18-28页 |
| 2.1 Sentaurus TCAD软件的介绍 | 第18页 |
| 2.2 传输方程模型 | 第18-22页 |
| 2.2.1 基本传输模型 | 第18-19页 |
| 2.2.2 漂移-扩散模型 | 第19页 |
| 2.2.3 流体力学模型(能量平衡模型) | 第19-22页 |
| 2.3 量子模型 | 第22-23页 |
| 2.3.1 量子模型的介绍 | 第22-23页 |
| 2.3.2 量子模型方程 | 第23页 |
| 2.4 迁移率模型 | 第23-26页 |
| 2.4.1 迁移率模型的合并 | 第23-24页 |
| 2.4.2 常迁移率模型 | 第24页 |
| 2.4.3 依赖于掺杂浓度的迁移率退化模型(Masetti模型) | 第24页 |
| 2.4.4 界面处的迁移率退化模型(增强型Lombardi模型) | 第24-25页 |
| 2.4.5 高电场饱和模型(Canali模型) | 第25-26页 |
| 2.5 载流子的产生与复合模型 | 第26-27页 |
| 2.5.1 Shockley-Read-Hall复合模型(SRH) | 第26页 |
| 2.5.2 Auger复合模型 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 N型无结FinFET电学特性仿真 | 第28-41页 |
| 3.1 N型无结FinFET器件结构 | 第28-29页 |
| 3.2 各项电学特性的定义 | 第29-32页 |
| 3.2.1 阈值电压的定义 | 第29页 |
| 3.2.2 亚阈值斜率的定义 | 第29-30页 |
| 3.2.3 漏致势垒降低值的定义 | 第30-31页 |
| 3.2.4 导通电流与截止电流之比的定义 | 第31-32页 |
| 3.3 N型无结FinFET与传统FinFET电学性能的比较 | 第32-35页 |
| 3.4 N型无结FinFET结构参数对电学性能的影响 | 第35-39页 |
| 3.4.1 T_(SI)与W_(SI)对器件电学性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.4.2 L_G与t_(ox)对器件电学性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.3 掺杂浓度N_d对器件电学性能的影响 | 第39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 双材料栅无结FinFET电学特性仿真 | 第41-50页 |
| 4.1 双材料栅无结FinFET器件 | 第41-46页 |
| 4.1.1 器件结构及其工作原理 | 第41-43页 |
| 4.1.2 双材料栅无结FinFET与单材料栅无结FinFET电学性能的比较 | 第43-44页 |
| 4.1.3 L_1/L对双材料栅无结FinFET器件性能的影响 | 第44-45页 |
| 4.1.4 δW对双材料栅无结FinFET器件性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.2 带有High-K介质侧墙的双材料栅无结FinFET器件 | 第46-49页 |
| 4.2.1 器件结构及其工作原理 | 第46-47页 |
| 4.2.2 DMG-SP无结FinFET与DMG无结FinFET电学性能的比较 | 第47-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
