| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 III-V族半导体材料的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 本文研究内容及意义 | 第11-12页 |
| 第二章 实验理论基础 | 第12-19页 |
| 2.1 原子扩散理论 | 第12-14页 |
| 2.2 外延生长理论 | 第14-17页 |
| 2.3 液滴外延技术 | 第17-18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 实验系统及准备工作 | 第19-32页 |
| 3.1 分子束外延(MBE) | 第19-23页 |
| 3.1.1 生长系统 | 第19-20页 |
| 3.1.2 监控系统 | 第20-22页 |
| 3.1.3 真空系统 | 第22-23页 |
| 3.2 扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscopy,STM) | 第23-25页 |
| 3.3 原子力显微镜(Atom Force Microscopy,AFM) | 第25-27页 |
| 3.4 实验准备工作 | 第27-31页 |
| 3.4.1 温度校准 | 第27-29页 |
| 3.4.2 GaAs脱氧及缓冲层生长 | 第29-30页 |
| 3.4.3 AlGaAs薄膜生长 | 第30-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 退火时间对表面形貌的影响 | 第32-38页 |
| 4.1 实验过程 | 第32-33页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第33-37页 |
| 4.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 不同砷压对表面形貌的影响 | 第38-42页 |
| 5.1 实验过程 | 第38-39页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第39-41页 |
| 5.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第六章 温度对Ga液滴扩散的影响 | 第42-49页 |
| 6.1 实验过程 | 第42页 |
| 6.2 实验结果与讨论 | 第42-48页 |
| 6.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第七章 不同沉积量Ga液滴的扩散 | 第49-57页 |
| 7.1 实验过程 | 第49-51页 |
| 7.2 实验结果与分析 | 第51-56页 |
| 7.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第八章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士期间参加发表的论文和参加科研情况 | 第66-67页 |