| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 晶硅异质结电池简介 | 第8-10页 |
| 1.3 非晶硅薄膜制备技术简介 | 第10-11页 |
| 1.3.1 等离子体化学气相沉积技术 | 第10页 |
| 1.3.2 热丝化学气相沉积技术 | 第10-11页 |
| 1.4 晶硅异质结太阳电池的国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第12-14页 |
| 第2章 HWCVD法制备本征氢化非晶硅钝化膜研究 | 第14-32页 |
| 2.1 氢化非晶硅钝化原理及研究现状 | 第14页 |
| 2.2 实验方法 | 第14-21页 |
| 2.2.1 HWCVD沉积非晶硅薄膜 | 第14-15页 |
| 2.2.2 表征方法 | 第15-20页 |
| 2.2.3 硅片清洗预处理 | 第20页 |
| 2.2.4 本征氢化非晶硅薄膜沉积与测试 | 第20-21页 |
| 2.3 本征氢化非晶硅钝化晶硅表面研究 | 第21-29页 |
| 2.3.1 沉积气压对氢化非晶硅薄膜的影响 | 第21-25页 |
| 2.3.2 热丝温度对氢化非晶硅薄膜的影响 | 第25-29页 |
| 2.4 射频光电导法与微波光电导法硅片少子寿命比较 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 HWCVD异质结太阳电池的薄膜与背场工艺优化研究 | 第32-45页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 实验方法 | 第33-37页 |
| 3.2.1 表征方法 | 第33-34页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第34-37页 |
| 3.3 单层发射极异质结电池制备 | 第37-41页 |
| 3.3.1 铝背场烧结工艺对电池性能影响 | 第37-40页 |
| 3.3.2 发射极厚度对太阳电池性能影响 | 第40-41页 |
| 3.4 双层发射极异质结电池发射极厚度的优化 | 第41-42页 |
| 3.5 单层发射极与双层发射极电池性能对比 | 第42-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 PECVD异质结太阳电池的薄膜工艺优化 | 第45-62页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验方法 | 第45-50页 |
| 4.2.1 表征方法 | 第45-47页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第47-50页 |
| 4.3 本征钝化层优化 | 第50-54页 |
| 4.3.1 本征钝化薄膜的制备与测试 | 第50页 |
| 4.3.2 本征非晶硅薄膜沉积气压的优化 | 第50-52页 |
| 4.3.3 本征非晶硅薄膜沉积氢稀释比的优化 | 第52-54页 |
| 4.4 不同结构晶硅异质结对比分析 | 第54-61页 |
| 4.4.1 晶硅异质结电池制备与测试 | 第54-56页 |
| 4.4.2 不同背场结构对电池性能影响 | 第56-58页 |
| 4.4.3 不同电池表面结构对电池性能影响 | 第58-59页 |
| 4.4.4 掺硼氧化锌导电薄膜的光学性能对电池影响 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 总结 | 第62-64页 |
| 5.1 主要的研究结论 | 第62-63页 |
| 5.2 本文创新之处 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第70页 |
