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表面粗化提高GaN基LED光提取效率

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·本文的研究背景第9页
   ·照明技术的变迁第9-10页
   ·LED的工作原理、优点和应用第10-16页
     ·LED的工作原理第10-14页
     ·LED的优点第14-15页
     ·LED的应用第15-16页
   ·本文的主要内容第16-17页
第二章 增加LED光提取效率的方法第17-23页
   ·影响LED性能提高的因素第17-18页
   ·LED出光效率存在的困难第18页
   ·提高LED出光效率的方法第18-22页
   ·本章小结第22-23页
第三章 GaN的干法刻蚀和湿法腐蚀第23-27页
   ·干法刻蚀第23-25页
   ·湿法腐蚀第25-26页
   ·本章小结第26-27页
第四章 提高GaN基LED光提取率的三角坑尺寸计算第27-47页
   ·模型建立的理论基础第27-31页
     ·全反射第27页
     ·表面粗化第27-28页
     ·三角坑模型的建立第28-31页
   ·尖底坑模型的模型结构参数第31-32页
   ·尖底坑模型优化方法第32-33页
   ·尖底坑模型出光角度分析第33-42页
     ·A点出光角度分析第34-38页
     ·B点出光角度分析第38-40页
     ·D 点出光角度分析第40-42页
   ·模型计算结果第42-45页
     ·第一轮优化第42-44页
     ·第二轮优化第44-45页
   ·本章小结第45-47页
第五章 GaN基LED外延层的湿法腐蚀第47-53页
   ·引言第47页
   ·实验样品、设备和试剂简介第47-49页
   ·实验步骤第49-50页
   ·实验结果讨论第50-53页
第六章 结论与展望第53-55页
   ·论文成果总结第53页
   ·工作展望第53-55页
致谢第55-57页
参考文献第57-61页
附录A 优化数据表格第61-69页
附录B 第一轮数据拟合程序第69-71页
作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目第71-72页

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