摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-14页 |
·引言 | 第9页 |
·声表面波技术简介 | 第9-13页 |
·声表面波器件基本结构和原理 | 第9-11页 |
·压电薄膜/金刚石多层膜结构 | 第11-12页 |
·国内外研究现状 | 第12-13页 |
·本文立论依据和主要工作 | 第13页 |
·本章小结 | 第13-14页 |
第二章 氮化铝薄膜的性质及其制备方法 | 第14-20页 |
·氮化铝薄膜概述 | 第14-15页 |
·氮化铝结构 | 第15页 |
·射频磁控溅射原理 | 第15-17页 |
·射频辉光放电 | 第16页 |
·射频磁控溅射 | 第16-17页 |
·溅射参量 | 第17-19页 |
·溅射阈值 | 第17-18页 |
·溅射率 | 第18-19页 |
·溅射能量与速度 | 第19页 |
·本章小结 | 第19-20页 |
第三章 薄膜形成过程和表征方法 | 第20-25页 |
·薄膜的形成过程 | 第20-21页 |
·吸附、扩散和凝结 | 第20页 |
·核的形成和生长 | 第20-21页 |
·薄膜的形成 | 第21页 |
·薄膜的表征手段 | 第21-24页 |
·扫描电子显微镜 | 第21-22页 |
·X 射线衍射 | 第22-23页 |
·傅里叶红外分析 | 第23页 |
·能谱分析(EDS) | 第23-24页 |
·本章小结 | 第24-25页 |
第四章 沉积参数对氮化铝薄膜取向的影响及其原因分析 | 第25-44页 |
·氮化铝薄膜的制备 | 第25-27页 |
·实验装置 | 第25-26页 |
·衬底清洗 | 第26页 |
·靶材选取和预处理 | 第26-27页 |
·薄膜制备流程 | 第27页 |
·硅衬底上氮化铝的 XRD 表征 | 第27-28页 |
·沉积参数对氮化铝薄膜生长取向的影响 | 第28-42页 |
·溅射功率对 AlN 薄膜的影响 | 第28-31页 |
·溅射压强对 AlN 薄膜的影响 | 第31-34页 |
·衬底温度对 AlN 的影响 | 第34-37页 |
·氮气百分比对 AlN 薄膜的影响 | 第37-39页 |
·不同衬底对沉积氮化铝薄膜的影响 | 第39-42页 |
·本章小结 | 第42-44页 |
第五章 硅衬底上氮化铝薄膜的形貌和成分表征 | 第44-49页 |
·氮化铝薄膜的表面形貌 | 第44-45页 |
·氮化铝薄膜的成分 | 第45-46页 |
·氮化铝薄膜的红外吸收光谱 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第六章 金刚石衬底上制备氮化铝薄膜 | 第49-54页 |
·金刚石的结构和性质 | 第49-50页 |
·金刚石衬底上氮化铝薄膜的制备和表征 | 第50-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
第七章 结论 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-59页 |
发表论文和科研情况说明 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-61页 |