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高压大容量IGBT串联动态均压技术研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 课题研究背景及意义第9-11页
    1.2 国内外研究现状第11-14页
        1.2.1 IGBT模型的研究现状第11-12页
        1.2.2 IGBT动态均压的研究现状第12-14页
    1.3 本文主要工作第14-16页
第2章 IGBT的基本特性与软件建模第16-30页
    2.1 IGBT的物理结构和工作原理第16-17页
    2.2 IGBT的基本特性与主要参数第17-21页
        2.2.1 IGBT的静态特性第17-18页
        2.2.2 IGBT的动态特性第18-19页
        2.2.3 IGBT的主要参数第19-21页
    2.3 基于Saber软件的IGBT建模第21-27页
        2.3.1 Saber中IGBT模型原理第21-22页
        2.3.2 Saber中IGBT建模方法第22-27页
    2.4 IGBT的瞬时特性第27-29页
    2.5 本章小结第29-30页
第3章 IGBT串联动态均压影响因素分析第30-49页
    3.1 IGBT动态电压不均衡机理第30-31页
    3.2 外部电路参数对动态均压影响分析第31-43页
        3.2.1 栅极驱动信号延迟对均压的影响第31-37页
        3.2.2 栅极驱动电压幅值对均压的影响第37-39页
        3.2.3 栅极驱动电压上升(下降)时间对均压的影响第39-41页
        3.2.4 栅极串联电阻对均压的影响第41-43页
    3.3 IGBT自身参数分散性对电压不均衡的影响第43-48页
        3.3.1 集电极-射极间电容Cce对均压的影响第43-44页
        3.3.2 栅极-集电极间电容Cgc对均压的影响第44-45页
        3.3.3 栅极-射极间电容Cge对均压的影响第45-46页
        3.3.4 栅极杂散电感Lg对均压的影响第46-47页
        3.3.5 IGBT拖尾电流时间对均压的影响第47-48页
    3.4 本章小结第48-49页
第4章 IGBT串联均压方法及参数配合第49-57页
    4.1 IGBT串联的静态均压及参数配合第49-50页
    4.2 IGBT串联的RCD动态均压及参数配合第50-52页
    4.3 栅极阻容二极管均压电路参数配合第52-56页
    4.4 本章小结第56-57页
第5章 结论与展望第57-59页
    5.1 课题的主要结论第57页
    5.2 后续研究工作展望第57-59页
参考文献第59-63页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第63-64页
攻读硕士学位期间参加的科研工作第64-65页
致谢第65页

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