| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题研究背景和研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第2章 研究方法和主要研究工具 | 第13-22页 |
| 2.1 表面等离激元 | 第13页 |
| 2.2 贵金属的 Drude 模型 | 第13-15页 |
| 2.3 微纳颗粒的等效电路分析 | 第15-19页 |
| 2.4 仿真工具与计算方法 | 第19-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 传统天线与纳米天线的分析 | 第22-28页 |
| 3.1 天线原理 | 第22-24页 |
| 3.2 天线的特性和电参数 | 第24-27页 |
| 3.3 纳米天线 | 第27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第4章 纳米天线的输入阻抗 | 第28-39页 |
| 4.1 纳米天线输入阻抗的误差分析 | 第28-31页 |
| 4.2 不同半径的金银纳米天线的输入阻抗分析 | 第31-34页 |
| 4.3 不同臂长的金银纳米天线的输入阻抗分析 | 第34-35页 |
| 4.4 不同间隙的金银纳米天线的输入阻抗分析 | 第35-37页 |
| 4.5 不同负载的银纳米天线的输入阻抗分析 | 第37-38页 |
| 4.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 金纳米平板的吸收率分析 | 第39-52页 |
| 5.1 不同厚度的金平板的吸收率分析 | 第39-42页 |
| 5.2 放置银纳米天线阵的金平板吸收率和电场分析 | 第42-47页 |
| 5.2.1 放置不同间隙银纳米天线阵的金平板吸收率和电场的分析 | 第42-45页 |
| 5.2.2 放置不同负载银纳米天线阵的金平板吸收率和电场的分析 | 第45-47页 |
| 5.3 金平板吸收率展宽分析 | 第47-51页 |
| 5.3.1 放置不同间隙的银纳米天线阵的金平板吸收率展宽分析 | 第47-49页 |
| 5.3.2 放置不同负载的银纳米天线阵的金平板吸收率展宽分析 | 第49-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
