| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题的研究背景、现状及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 射频接收机中的低噪声放大器 | 第10-12页 |
| 1.3 论文的研究内容及安排 | 第12-13页 |
| 第二章 射频集成电路中元器件的特性 | 第13-26页 |
| 2.1 无源器件的射频特性 | 第13-20页 |
| 2.1.1 电阻 | 第13-15页 |
| 2.1.2 电容 | 第15-16页 |
| 2.1.3 电感 | 第16-20页 |
| 2.2 MOSFET 的射频特性 | 第20-25页 |
| 2.2.1 长沟道近似 | 第20-22页 |
| 2.2.2 MOSFET 的二级效应 | 第22-23页 |
| 2.2.3 短沟道效应 | 第23-25页 |
| 2.3 总结 | 第25-26页 |
| 第三章 射频电路设计中的噪声理论和非线性 | 第26-42页 |
| 3.1 噪声的统计方法 | 第26-28页 |
| 3.2 器件的噪声 | 第28-32页 |
| 3.2.1 热噪声 | 第28-30页 |
| 3.2.2 闪烁噪声 | 第30-32页 |
| 3.2.3 散粒噪声 | 第32页 |
| 3.3 经典的二端口网络噪声理论 | 第32-39页 |
| 3.3.1 噪声因子 | 第32-35页 |
| 3.3.2 噪声系数和噪声温度 | 第35-36页 |
| 3.3.3 MOSFET 二端口网络噪声参数的推导 | 第36-39页 |
| 3.4 级联网络的噪声计算 | 第39-42页 |
| 第四章 低噪声放大器的结构分析 | 第42-49页 |
| 4.1 输入端并联电阻的共源放大器结构 | 第43-44页 |
| 4.2 共栅放大器结构 | 第44页 |
| 4.3 并联-串联反馈放大器结构 | 第44-46页 |
| 4.4 源简并电感负反馈型共源放大器结构 | 第46-49页 |
| 第五章 CMOS 射频低噪声放大器的设计与测试 | 第49-82页 |
| 5.1 低噪声放大器的设计指标及要求 | 第49-50页 |
| 5.2 功耗约束下的噪声优化 | 第50-54页 |
| 5.3 CMOS 射频低噪声放大器的设计与测试 | 第54-81页 |
| 5.3.1 电路结构 | 第55-60页 |
| 5.3.2 仿真结果 | 第60-69页 |
| 5.3.3 版图设计 | 第69-72页 |
| 5.3.4 测试与分析 | 第72-81页 |
| 5.4 总结 | 第81-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |