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CMOS射频低噪声放大器的研究与设计

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-13页
    1.1 课题的研究背景、现状及意义第9-10页
    1.2 射频接收机中的低噪声放大器第10-12页
    1.3 论文的研究内容及安排第12-13页
第二章 射频集成电路中元器件的特性第13-26页
    2.1 无源器件的射频特性第13-20页
        2.1.1 电阻第13-15页
        2.1.2 电容第15-16页
        2.1.3 电感第16-20页
    2.2 MOSFET 的射频特性第20-25页
        2.2.1 长沟道近似第20-22页
        2.2.2 MOSFET 的二级效应第22-23页
        2.2.3 短沟道效应第23-25页
    2.3 总结第25-26页
第三章 射频电路设计中的噪声理论和非线性第26-42页
    3.1 噪声的统计方法第26-28页
    3.2 器件的噪声第28-32页
        3.2.1 热噪声第28-30页
        3.2.2 闪烁噪声第30-32页
        3.2.3 散粒噪声第32页
    3.3 经典的二端口网络噪声理论第32-39页
        3.3.1 噪声因子第32-35页
        3.3.2 噪声系数和噪声温度第35-36页
        3.3.3 MOSFET 二端口网络噪声参数的推导第36-39页
    3.4 级联网络的噪声计算第39-42页
第四章 低噪声放大器的结构分析第42-49页
    4.1 输入端并联电阻的共源放大器结构第43-44页
    4.2 共栅放大器结构第44页
    4.3 并联-串联反馈放大器结构第44-46页
    4.4 源简并电感负反馈型共源放大器结构第46-49页
第五章 CMOS 射频低噪声放大器的设计与测试第49-82页
    5.1 低噪声放大器的设计指标及要求第49-50页
    5.2 功耗约束下的噪声优化第50-54页
    5.3 CMOS 射频低噪声放大器的设计与测试第54-81页
        5.3.1 电路结构第55-60页
        5.3.2 仿真结果第60-69页
        5.3.3 版图设计第69-72页
        5.3.4 测试与分析第72-81页
    5.4 总结第81-82页
第六章 总结与展望第82-84页
参考文献第84-87页
发表论文和参加科研情况说明第87-88页
致谢第88页

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