| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| CHAPTER 1: METAL OXIDE THIN FILMS | 第12-59页 |
| 1.1. INTRODUCTION | 第12页 |
| 1.2. COPPER ALUMINIUM OXIDE (CUALO_2) | 第12-14页 |
| 1.3. ALUMINUM OXIDE (AL_2O_3) | 第14-15页 |
| 1.4. EMERGING ISSUES | 第15-17页 |
| 1.4.1. Amorphous oxide thin films | 第15-17页 |
| 1.4.2. Majority charge carrier types | 第17页 |
| 1.5. THIN FILM DEPOSITION | 第17-21页 |
| 1.6. CHARACTERIZATION AND PROPERTIES | 第21-29页 |
| 1.6.1. Electrical | 第21-24页 |
| 1.6.2. Optical | 第24-27页 |
| 1.6.3. Morphological | 第27-29页 |
| 1.7. DEVICE APPLICATIONS | 第29-33页 |
| 1.7.1. Photovoltaic applications of CuAlO_2 | 第30-32页 |
| 1.7.2. Application of Al_2O_3 as gate dielectric in thin film transistors (TFTs) | 第32-33页 |
| 1.8. STATEMENT OF NEED | 第33-34页 |
| 1.9. RELEVANCE OF THIS WORK | 第34-35页 |
| 1.10. RESAERCH STRATEGY | 第35-36页 |
| 1.11. OUTCOMES | 第36-37页 |
| 1.12. CHAPTER TOPICS | 第37-38页 |
| 1.13. REFERENCES | 第38-59页 |
| CHAPTER 2: MICROSTRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OFCuAlO_2 CERAMIC PREPARED BY A NOVEL SOLVENT-FREE ESTERELIMINATION PROCESS | 第59-82页 |
| 2.1. INTRODUCTION | 第59-60页 |
| 2.2. EXPERIMENTAL | 第60-62页 |
| 2.2.1. Material Synthesis | 第60-62页 |
| 2.2.2. Characterization | 第62页 |
| 2.3. RESULTS AND DISCUSSION | 第62-77页 |
| 2.3.1. Confirmation of ester elimination | 第62-64页 |
| 2.3.2. XPS study of Cu-O-Al mixed metal oxide bridge formation | 第64-66页 |
| 2.3.3. Thermal analyses | 第66-69页 |
| 2.3.4. Microstructural property | 第69-74页 |
| 2.3.5. Electrical property | 第74-77页 |
| 2.4. SUMMARY | 第77-78页 |
| 2.5. REFERENCES | 第78-82页 |
| CHAPTER 3: BIPOLAR CONDUCTIVITY IN AMORPHOUS Cu-Al-O THINFILMS PREPARED BY R.F. MAGNETRON SPUTTERING | 第82-103页 |
| 3.1. INTRODUCTION | 第82-84页 |
| 3.2. EXPERIMENTAL | 第84-86页 |
| 3.2.1. Preparation of polycrytalline CuAlO_2 ceramic sputter target | 第84-85页 |
| 3.2.2. Deposition of amorphous Cu-Al-O thin films | 第85-86页 |
| 3.2.3. Material and device characterization | 第86页 |
| 3.3. RESULTS AND DISCUSSION | 第86-97页 |
| 3.3.1. Amorphous Cu-Al-O thin film classification | 第86-87页 |
| 3.3.2 Morphological Properties of the Ceramic Target and Thin Films | 第87-90页 |
| 3.3.3 Electronic Properties of the Thin Films | 第90-91页 |
| 3.3.4. XPS analysis of the thin films | 第91-97页 |
| 3.4. SUMMARY | 第97-98页 |
| 3.5. REFERENCES | 第98-103页 |
| CHAPTER 4: ROOM-TEMPERATURE CuAlO_2 HOLE INTERFACIAL LAYERFOR EFFICIENT AND STABLE PLANAR PEROVSKITE SOLAR CELLS | 第103-140页 |
| 4.1. INTRODUCTION | 第103-105页 |
| 4.2. EXPERIMENTAL | 第105-109页 |
| 4.2.1. Materials preparation | 第105-106页 |
| 4.2.2. Device fabrication | 第106-108页 |
| 4.2.3. Characterization | 第108-109页 |
| 4.3. RESULTS AND DISCUSSION | 第109-132页 |
| 4.3.1. Materials properties | 第109-122页 |
| 4.3.2. Device properties | 第122-132页 |
| 4.4. SUMMARY | 第132-133页 |
| 4.5. REFERENCES | 第133-140页 |
| CHAPTER 5: LOW TEMPERATURE SOL-GEL PROCESSED AlO_x GATE DIELECTRIC BUFFER LAYER FOR IMPROVED PERFORMANCE INPENTACENE BASED OFET | 第140-170页 |
| 5.1. INTRODUCTION | 第140-142页 |
| 5.2. EXPERIMENTAL | 第142-145页 |
| 5.2.1. Preparation of AlO_x | 第142-143页 |
| 5.2.2. Device fabrication | 第143-144页 |
| 5.2.3.Characterization | 第144-145页 |
| 5.3. RESULTS AND DISCUSSION | 第145-163页 |
| 5.3.1. Material preparation and characterization | 第145-152页 |
| 5.3.2. Material’s dielectric properties | 第152-154页 |
| 5.3.3. Device properties | 第154-163页 |
| 5.4. SUMMARY | 第163页 |
| 5.5. REFERENCES | 第163-170页 |
| CHAPTER 6: SUMMARY AND PROSPECT | 第170-173页 |
| 6.1. SUMMARY | 第170-172页 |
| 6.2. PROSPECT | 第172-173页 |
| PUBLICATIONS | 第173-174页 |
| ACKNOWLEDGEMENTS | 第174-175页 |
