| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 量子点材料概况 | 第10-13页 |
| 1.2 量子点物理特性概述 | 第13-19页 |
| 1.3 硅量子点在太阳能电池中应用概况 | 第19-23页 |
| 1.4 硅量子点在浮栅存储中应用概况 | 第23-27页 |
| 1.5 本文的研究内容及结构安排 | 第27-30页 |
| 2 a-SiC：H中Si量子点制备及表征 | 第30-49页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 硅量子点的制备方法 | 第30-33页 |
| 2.3 硅量子点微结构特性表征方法 | 第33-38页 |
| 2.4 a-SiC：H中Si量子点制备工艺流程 | 第38-41页 |
| 2.5 a-SiC：H中Si量子微结构特性的表征 | 第41-48页 |
| 2.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 3 含有Si量子点的a-SiC：H/c-Si异质界面能带调控分析 | 第49-63页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 Si-rich a-SiC：H/c-Si异质界面制备及表征 | 第49-50页 |
| 3.3 Si-rich a-SiC：H薄膜微结构演变分析 | 第50-54页 |
| 3.4 Si-rich a-SiC：H/c-Si异质界面能带分布演变分析 | 第54-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 4 基于界面能带调节的硅基异质结太阳能电池的优化分析 | 第63-92页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 硅基异质结电池结构及仿真分析方法 | 第64-68页 |
| 4.3 非晶硅薄膜中缺陷态和能带带阶对硅异质界面载流子传输的影响(59) | 第68-74页 |
| 4.4 TCO功函数对TCO/发射层界面载流子传输性能的影响 | 第74-76页 |
| 4.5 能带带阶对c-Si/BSF界面载流子传输性能的影响 | 第76-78页 |
| 4.6 硅基异质结太阳电池能带调控的综合模拟优化 | 第78-79页 |
| 4.7 掺硼ZnO透明电极薄膜及其硅异质结太阳电池制备 | 第79-90页 |
| 4.8 本章小结 | 第90-92页 |
| 5 a-SiC：H中的Si量子点在电荷存储器中的应用 | 第92-102页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 基于a-SiC：H的Si量子点电荷存储器的制备及表征 | 第92-94页 |
| 5.3 量子点电荷存储器中Si量子点充放电过程及机制研究 | 第94-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 6 全文总结与工作展望 | 第102-106页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第102-105页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-125页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文 | 第125-126页 |
| 附录2 博士生期间申请的专利和获得奖项 | 第126页 |
