| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 太赫兹波 | 第10-11页 |
| 1.2 超材料 | 第11-12页 |
| 1.3 DAST有机晶体 | 第12-13页 |
| 1.4 基于超材料的耦合系统 | 第13-14页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容及创新点 | 第14-16页 |
| 第二章 DAST超材料的特性及理论分析 | 第16-35页 |
| 2.1 DAST晶体的特征 | 第16-19页 |
| 2.1.1 DAST晶体的双折射效应 | 第17页 |
| 2.1.2 DAST晶体的横向光学声子 | 第17-19页 |
| 2.2 基于FDTD的仿真模型的建立 | 第19-20页 |
| 2.3 基于双折射效应的DAST超材料的特性 | 第20-21页 |
| 2.4 基于横向光学声子的DAST超材料的特性 | 第21-25页 |
| 2.5“孪生”峰的理论解释及分析 | 第25-32页 |
| 2.5.1 阶梯化近似介电常数解释 | 第25-27页 |
| 2.5.2 耦合振荡器的经典力学解释 | 第27-29页 |
| 2.5.3 耦合振荡器的量子力学解释 | 第29-32页 |
| 2.6 DAST超材料耦合系统的Rabi频率 | 第32-34页 |
| 2.7 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 DAST多晶薄膜的制备及单晶的生长 | 第35-47页 |
| 3.1 DAST多晶薄膜的制备 | 第35-41页 |
| 3.1.1 DAST多晶薄膜的制备工艺 | 第36-37页 |
| 3.1.2 沉积温度对多晶薄膜的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.3 沉积衬底对多晶薄膜的影响 | 第38-41页 |
| 3.2 DAST单晶的生长 | 第41-45页 |
| 3.2.1 熔化重结晶法 | 第41-42页 |
| 3.2.2 缓慢挥发溶剂法 | 第42-45页 |
| 3.2.2.1 单片衬底法 | 第42页 |
| 3.2.2.2 双片衬底剪切法 | 第42-43页 |
| 3.2.2.3 DAST单晶的表征 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 DAST多晶超材料的测试及特性分析 | 第47-59页 |
| 4.1 DAST超材料微结构的实现 | 第47-51页 |
| 4.1.1 SiNx掩膜的制作 | 第48-50页 |
| 4.1.2 微结构图形的蒸镀 | 第50-51页 |
| 4.2 太赫兹时域光谱系统 | 第51-52页 |
| 4.3 DAST多晶超材料的响应及特性分析 | 第52-56页 |
| 4.3.1 超表面结构振动响应 | 第52-54页 |
| 4.3.2 F-P腔共振与DAST分子振动的耦合 | 第54-56页 |
| 4.4 沉积衬底对多晶DAST超材料的影响 | 第56-57页 |
| 4.5 DAST薄膜厚度对多晶DAST超材料的影响 | 第57-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 DAST单晶超材料的测试及特性分析 | 第59-74页 |
| 5.1 DAST单晶超材料的测试及仿真 | 第59-63页 |
| 5.2 DAST单晶超材料的耦合模式分析 | 第63-72页 |
| 5.2.1 超表面结构的影响 | 第64-66页 |
| 5.2.2 F-P腔的影响 | 第66-68页 |
| 5.2.3 相干效应的影响 | 第68-70页 |
| 5.2.4 近场效应的影响 | 第70-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 结论与展望 | 第74-77页 |
| 6.1 结论 | 第74-75页 |
| 6.2 展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第86-87页 |